中微公司刻蚀设备进展:业绩增长、技术突破与市场份额提升

中微公司作为国产半导体刻蚀设备龙头,在业绩放量、技术迭代和市场份额提升方面取得显著进展。本文系统梳理其CCP/ICP刻蚀设备在先进制程和存储市场的突破,以及未来增长潜力。

发布时间:2025年8月27日 分类:金融分析 阅读时间:5 分钟

中微公司作为国产半导体刻蚀设备龙头,近年来在业绩放量、技术迭代、市场份额提升等方面持续取得显著进展,核心逻辑受益于半导体国产化加速、先进制程(如5nm及以下)与存储器件(3D NAND/DRAM)扩产带来的刻蚀工艺需求增长。以下是具体进展的系统梳理:

一、业绩表现:刻蚀设备成为核心增长引擎

根据2024年年报及2025年一季报数据

  • 2024年:刻蚀设备收入72.77亿元,同比大幅增长54.72%,占总营收的80.3%(总营收90.65亿元),成为公司业绩增长的核心驱动力;
  • 2025年一季度:尽管受客户结构短期变化影响毛利率略有波动,但合同负债环比增长4.81亿元至30.67亿元,反映订单持续饱满,为2025年业绩高增奠定基础;
  • 历史增长:刻蚀设备收入从2018年的约10亿元(估算)增长至2024年的72.77亿元,复合增速超40%,主要受益于先进制程与存储客户的批量采购。

二、技术进展:覆盖先进制程,核心设备性能持续提升

中微公司的刻蚀设备以CCP(电容耦合等离子体)ICP(电感耦合等离子体)为核心,技术覆盖28nm至5nm及以下先进制程,关键性能指标已达国际主流水平:

  • CCP刻蚀设备:截至2024年第三季度,累计交付超3800个反应台,覆盖28nm以上逻辑器件制造90%以上的CCP刻蚀应用;其中,双反应台刻蚀机已进入5nm及以下先进生产线(如台积电、三星等),并实现批量销售
  • ICP刻蚀设备:累计交付700+反应台,覆盖95%以上的刻蚀应用(包括先进逻辑、存储芯片);核心产品Primo UD-RIE具备**≥60:1深宽比**的刻蚀能力,满足3D存储(如3D NAND)的垂直结构加工需求;TSV(硅通孔)新工艺验证成功,推动国产设备在高端封装领域的应用
  • 平台化拓展:除刻蚀外,公司2024年推出LPCVD(低压化学气相沉积)薄膜设备,首年实现1.56亿元收入,成为新增长点;EPI(外延)设备进入客户端量产验证,满足先进逻辑器件(如锗硅外延)的量产需求

三、市场份额与客户渗透:从“跟随”到“引领”

  • 先进制程覆盖:公司刻蚀设备已应用于65nm至5nm及以下的集成电路生产线,其中5nm及以下制程的设备实现多次批量销售,客户包括全球领先的逻辑芯片厂商(如台积电、三星)
  • 存储市场突破:受益于3D NAND/DRAM的垂直化发展(刻蚀工艺步骤从2D的10-20步增加至3D的50-100步),公司ICP刻蚀设备在存储客户(如长江存储、三星存储)中的在线反应台数量超700个,市占率持续提升
  • CCP市占率飙升:根据2024年12月电子发烧友网报道,公司CCP刻蚀设备的市场占有率从2023年的24%提升至2024年的60%,成为国内市场的绝对领跑者

四、未来展望:持续受益于国产化与先进制程需求

  • 需求驱动:随着芯片制程向3nm及以下演进,以及3D存储先进封装(如CoWoS、InFO)的普及,刻蚀设备的工艺复杂度需求量将持续增长,中微作为国产龙头将深度受益;
  • 技术迭代:公司持续加大研发投入(2024年研发费用占比约15%),未来将推出更先进的刻蚀设备(如针对3nm制程的高选择性刻蚀)及量检测设备(如电子束检测),进一步完善平台化布局;
  • 业绩支撑:2025年一季度合同负债高增(30.67亿元)及存货余额74.5亿元(较年初增长4.1亿元),显示公司在手订单充足,预计2025年刻蚀设备收入仍将保持30%以上的高速增长

总结

中微公司刻蚀设备的进展可概括为:业绩高速增长、技术覆盖深化、市场份额提升、平台化布局完善。其核心竞争力在于掌握CCP/ICP刻蚀核心技术,并通过客户深度绑定(如先进制程厂商、存储客户)研发持续投入,巩固了在国产刻蚀设备领域的龙头地位。未来,随着半导体国产化加速与先进制程需求释放,公司刻蚀设备业务仍将保持强劲增长态势。

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