士兰微IGBT产能规划及进展梳理
一、现有产能布局
士兰微作为IDM模式（设计与制造一体化）半导体企业，其IGBT产能主要分布在6吋、8吋及12吋晶圆生产线：
- 6吋/8吋线：保持一定的IGBT芯片产能（具体规模未详细披露，但为现有基础产能）；
- 12吋线：2021年底12吋线月产出约3.6万片，其中IGBT芯片占比约8.3%（3000片/月），产品涵盖低压Mos、SGT-Mos、超结Mos、沟槽SBD、IGBT及HVIC等。
二、产能扩张计划
士兰微针对IGBT的产能扩张主要围绕芯片产能提升与汽车级模块封装产能建设展开，重点聚焦新能源汽车、光伏等高端应用领域：
1. 芯片产能扩张
- 8吋/12吋线产能提升：2023年4月董秘回复表示，公司正在积极扩大8吋、12吋IGBT芯片产能，以提高IGBT产品产销规模及市场占有率。
- 12吋线拓展：2022年2月、5月互动平台回复均提到，12吋线正在加快拓展IGBT产能，作为未来IGBT芯片的核心产能载体。
2. 汽车级模块封装产能建设
- 重大投资项目：2022年6月，公司计划投资30亿元建设“年产720万块汽车级功率模块封装项目”，主要生产半桥型汽车级IGBT模块（相当于每月供应20万辆电动车需求）。该项目建设期为3年，预计2025年达产，将大幅提升公司汽车级IGBT模块的产能规模。
三、产能投放目标与应用方向
- 短期（2023-2024年）：通过8吋、12吋线芯片产能扩张及汽车级封装线建设，逐步提高IGBT产品产销规模，重点提升新能源汽车（PIM模块）、光伏（IGBT单管）等领域的供货能力；
- 长期（2025年及以后）：30亿元汽车级模块项目达产后，预计年产能720万块，将支撑公司在新能源汽车IGBT领域的市占率提升（目标约20%，对应2025年国内电动车销量1200万辆的需求）。
四、最新进展（截至2023年4月）
- 芯片产能：8吋、12吋线IGBT芯片产能正在扩大；
- 封装产能：汽车级功率半导体封装生产线建设加快推进，为后续模块产能释放奠定基础。
注：以上信息综合自公司公告、互动平台回复及公开新闻报道。