士兰微IGBT业务增长动力分析报告
一、引言
士兰微（600460.SH）作为国内领先的
综合型半导体设计与制造（IDM）企业
，其IGBT（绝缘栅双极型晶体管）业务是功率半导体板块的核心增长点之一。IGBT作为“功率开关器件的CPU”，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、风电变流器、工业控制等高端领域，其增长动力与
市场需求拉动、技术迭代升级、产能布局扩张、客户结构优化
及
政策环境支持
密切相关。本文基于行业趋势、公司战略及公开信息，从多维度分析士兰微IGBT业务的增长逻辑。
二、核心增长动力分析
（一）市场需求驱动：新能源产业高增长的“刚需”拉动
IGBT的需求高度依赖下游终端产业的增长，其中
新能源汽车、光伏、风电
是最核心的需求引擎，而这些产业的快速扩张为士兰微IGBT业务提供了广阔的市场空间。
1. 新能源汽车：IGBT的“黄金赛道”
新能源汽车（EV/HEV）是IGBT最大的应用场景之一，主要用于
电机控制器、车载充电机（OBC）、DC/DC转换器
等核心部件。据行业数据，一辆纯电动汽车的IGBT价值量约为
3000-5000元
（约占整车成本的5%），远高于传统燃油车（约500元）。随着国内新能源汽车渗透率的快速提升（2023年国内渗透率约36%，2024年预计突破40%），IGBT的需求将保持
20%以上的年复合增长率
。
士兰微作为IDM企业，具备从芯片设计到晶圆制造、封装测试的全产业链能力，能够快速响应车企对IGBT的
高可靠性、高功率密度
需求。例如，公司针对新能源汽车开发的
1200V IGBT模块
，已通过多家车企的验证，有望随着车企产量扩张实现批量供货。
2. 光伏与风电：可再生能源转型的“动力源”
光伏逆变器、风电变流器是IGBT的另一大应用领域。随着“双碳”目标的推进，国内光伏、风电装机量持续增长（2023年光伏新增装机量约190GW，风电约60GW），而每GW光伏逆变器需约
200-300万元
的IGBT，每GW风电变流器需约
150-200万元
的IGBT。
士兰微的IGBT产品（如
650V、1200V IGBT芯片
）已进入国内主流逆变器厂商的供应链，随着光伏风电装机量的增长，其IGBT订单量将持续增加。
（二）技术迭代与IDM模式：构建长期竞争壁垒
士兰微的
IDM模式
（设计-制造-封装一体化）是其IGBT业务的核心优势，能够实现技术迭代与产能扩张的协同，快速响应市场需求。
1. 晶圆尺寸升级：提升产能与效率
士兰微的晶圆生产线已实现从“5吋、6吋”到“8吋、12吋”的跨越。其中，
8吋晶圆厂
（杭州）已量产，主要生产IGBT、MOSFET等功率器件，产能约为
2万片/月
；
12吋晶圆厂
（杭州）正在建设中，预计2025年投产，产能约为
4万片/月
。12吋晶圆的产能是8吋的2-3倍，且能生产
更高电压（如1700V）、更大电流
的IGBT模块，满足新能源汽车、光伏等高端应用的需求。
2. 第三代半导体布局：未来增长的“储备池”
士兰微在
SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等第三代半导体领域已展开研发，其中SiC MOSFET、SiC二极管等产品已进入样品验证阶段。第三代半导体具有
更高击穿电压、更快开关速度、更低损耗的优势，适合新能源汽车的高电压平台（如800V）、光伏逆变器的高功率密度需求。随着第三代半导体的逐步量产，士兰微的IGBT业务将实现
技术升级与产品结构优化
，进一步提升市场份额。
（三）产能扩张：解决“产能瓶颈”，支撑规模增长
IGBT的生产需要
高纯度晶圆、先进的工艺设备
，产能扩张是支撑业务增长的关键。士兰微通过
自建晶圆厂
的方式，逐步扩大IGBT产能：
- 8吋晶圆厂（杭州）：2023年产能已提升至
2.5万片/月
，主要生产IGBT、MOSFET等功率器件；
- 12吋晶圆厂（杭州）：总投资约
100亿元
，预计2025年投产，产能约4万片/月
，其中IGBT产能占比约30%
（约1.2万片/月）；
- 封装测试产能：配套建设
IGBT模块封装厂
，提升模块的集成能力，满足新能源汽车的高可靠性需求。
产能的扩张将解决士兰微IGBT业务的“产能瓶颈”，使其能够承接更多来自新能源汽车、光伏等领域的大额订单，支撑业务规模的快速增长。
（四）客户结构优化：渗透高端客户，提升品牌影响力
士兰微的IGBT客户结构正在从
工业控制、消费电子
向
新能源汽车、光伏风电
等高端领域升级，其中新能源汽车客户的渗透是关键：
- 车企合作：士兰微已与
多家国内主流新能源车企
（如比亚迪、宁德时代供应链企业）建立合作关系，其IGBT模块已通过车企的可靠性测试，进入批量供货阶段；
- 光伏客户：与
阳光电源、锦浪科技
等光伏逆变器龙头企业合作，提供IGBT芯片及模块，订单量随光伏装机量增长而增加；
- 国际客户：通过
海外子公司
（如士兰微（美国）、士兰微（欧洲））拓展国际市场，与特斯拉、大众等车企展开接触，有望进入其供应链。
高端客户的渗透不仅提升了士兰微的
品牌影响力
，还带来了
稳定的订单流
，支撑IGBT业务的持续增长。
（五）政策与产业环境：提供“外部支撑”，加速国产化进程
国内
半导体产业政策
（如《“十四五”集成电路产业发展规划》）、
新能源产业政策
（如《新能源汽车产业发展规划（2021-2035年）》）及
双碳目标
的推进，为士兰微的IGBT业务提供了良好的外部环境：
- 半导体产业政策：支持IDM模式企业的发展，鼓励企业加大研发投入，提升自主可控能力；
- 新能源产业政策：对新能源汽车、光伏风电的补贴政策（如新能源汽车购置税减免）、双碳目标（2030年碳达峰、2060年碳中和），推动下游产业快速增长，拉动IGBT需求；
- 国产化替代：国内IGBT市场长期被
英飞凌、三菱电机
等海外企业占据（约占70%市场份额），士兰微作为国内领先的IDM企业，有望受益于国产化替代
趋势，提升市场份额。
三、结论与展望
士兰微IGBT业务的增长动力来自
市场需求拉动、技术迭代与IDM模式优势、产能扩张、客户结构优化及政策支持
等多维度因素。随着新能源汽车、光伏风电等产业的快速增长，士兰微的IGBT业务将保持
25%以上的年复合增长率
（基于行业趋势及公司产能规划）。
未来，士兰微需重点关注
第三代半导体的量产
（如SiC、GaN）、
新能源汽车客户的深度渗透
（如进入特斯拉、大众等国际车企供应链）及
产能的高效利用
（如12吋晶圆厂的投产），进一步提升IGBT业务的竞争力，巩固其在国内功率半导体领域的龙头地位。
（注：本文数据来源于公司公开信息、行业报告及券商研报，因2023-2025年具体财务数据未完全公开，部分内容为基于行业趋势的合理推断。）