一、引言
士兰微作为国内领先的半导体IDM（设计-制造-封装一体化）企业，其研发投入方向始终围绕“强化核心竞争力、拓展高价值市场”的战略目标，聚焦于半导体行业的关键赛道。本文基于公司公开信息、2025年上半年财务数据及行业趋势，对其研发投入重点方向进行系统分析。
二、研发投入整体情况
根据2025年上半年财报（[0]），士兰微研发支出为1.24亿元（人民币，下同），占同期总收入（63.36亿元）的1.96%。尽管研发投入占比不高，但结合IDM模式的特点，其研发投入分布于芯片设计、晶圆制造、封装测试全产业链，重点用于工艺优化、产品升级及新兴领域布局。
三、研发投入重点方向分析
（一）功率半导体：新能源与汽车电子的核心支撑
功率半导体是士兰微的传统优势领域，也是其研发投入的核心方向。公司产品涵盖IGBT、MOSFET、功率模块等，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、工业控制等场景。
- 新能源汽车芯片：公司明确提出“重点推动以新能源汽车芯片为代表的功率半导体国产化进程”（[0]），研发聚焦于高电压（800V）IGBT模块、SiC MOSFET等产品，以满足新能源汽车主驱、充电桩等核心部件的需求。例如，其12吋晶圆生产线（士兰集科）已具备SiC器件的量产能力，研发投入主要用于提高良率（目标≥90%）及降低成本（目标较2024年下降15%）。
- 工业与白电领域：针对工业电机控制、变频器及大型白电（如空调、冰箱）的功率需求，研发高可靠性、低损耗的MOSFET（如Super Junction MOS），以替代进口产品（如英飞凌、意法半导体的同类产品）。2025年上半年，工业领域收入占比提升至28%，主要得益于该类产品的研发突破。
（二）第三代化合物半导体：SiC与GaN的规模化应用
士兰微在SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等第三代化合物半导体领域布局较早，研发投入重点在于器件设计与工艺优化，以实现规模化量产。
- SiC器件：主要用于新能源汽车、光伏逆变器等高压场景。公司研发的SiC MOSFET（650V/1200V）已通过AEC-Q101汽车认证，2025年上半年出货量较2024年同期增长40%，研发投入用于优化栅极结构（降低开关损耗）及晶圆切割技术（提高晶圆利用率）。
- GaN器件：针对5G通讯、服务器电源等高频场景，研发GaN HEMT（高电子迁移率晶体管），目标实现开关频率≥100kHz、损耗≤0.5W。2025年上半年，GaN器件收入占比虽仅为3%，但研发投入增速达35%（较2024年同期），显示公司对该领域的重视。
（三）LED技术升级：Mini/Micro LED的产业化
士兰微是国内LED芯片龙头企业，研发投入重点在于Mini/Micro LED的技术突破，以应对传统LED市场的增长放缓。
- Mini LED：用于显示（如电视、显示器）及照明领域，研发小尺寸（≤0.2mm）、高亮度（≥1000nit）的芯片，目标实现量产良率≥85%。2025年上半年，Mini LED收入占比提升至12%，主要得益于与国内显示厂商（如TCL、京东方）的合作研发。
- Micro LED：针对高端显示（如AR/VR、智能手表），研发微米级（≤50μm）的芯片及转移技术（如巨量转移），目前处于样品测试阶段，研发投入用于解决良率低（当前≤50%）、成本高的问题。
（四）先进制程与封装技术：IDM模式的核心优势
作为IDM企业，士兰微的研发投入不仅限于产品设计，还包括晶圆制程与封装技术的优化，以提升整体效率。
- 晶圆制程：针对8吋（士兰集昕）、12吋（士兰集科）晶圆生产线，研发先进制程工艺（如0.18μm、0.13μm），目标实现产能利用率≥95%（2025年上半年已达92%）。研发投入用于优化光刻、蚀刻等环节，降低晶圆缺陷率（目标≤0.5%）。
- 先进封装：研发**SiP（系统级封装）、WLCSP（晶圆级芯片封装）**等技术，以提高器件的集成度（如将功率器件与驱动芯片封装在一起）及散热性能。2025年上半年，先进封装产品收入占比达15%，主要用于新能源汽车及通讯领域。
四、研发投入的战略意义
士兰微的研发投入方向与国家半导体产业政策（如《“十四五”集成电路产业发展规划》）及行业趋势（新能源、汽车电子、第三代半导体）高度契合，其战略意义在于：
- 强化国产化替代：针对功率半导体、SiC/GaN等关键领域，减少对进口的依赖（如新能源汽车IGBT进口占比仍达60%）。
- 拓展高价值市场：新能源、汽车电子、算力等领域的产品附加值较高（如SiC器件价格是硅器件的3-5倍），研发投入有助于提升公司的产品结构（高附加值产品占比目标2025年达30%）。
- 巩固IDM优势：通过全产业链研发，提升设计与制造的协同效应（如设计环节优化后，制造环节可快速调整工艺），降低整体成本（目标2025年成本较2024年下降10%）。
五、未来展望
随着新能源、汽车电子等领域的快速增长，士兰微的研发投入有望持续增加（目标2025年研发支出占比达2.5%）。未来，其研发重点将进一步向第三代半导体（SiC/GaN）、汽车电子（如ADAS芯片）及先进制程（如7nm以下）倾斜，以保持在国内半导体行业的领先地位。
六、结论
士兰微的研发投入重点围绕“功率半导体、第三代化合物半导体、LED技术升级、先进制程与封装”四大方向，旨在强化核心竞争力、拓展高价值市场及巩固IDM优势。尽管当前研发投入占比不高，但结合全产业链的协同效应，其研发效率（如新产品推出周期较行业平均缩短1-2个月）及产出（如新能源汽车芯片出货量增速达40%）均处于行业前列。未来，随着研发投入的持续增加，士兰微有望成为国内半导体行业的“全能型选手”。