一、引言
士兰微作为国内领先的
半导体IDM（设计-制造-封装一体化）企业
，其研发投入方向始终围绕“强化核心竞争力、拓展高价值市场”的战略目标，聚焦于半导体行业的关键赛道。本文基于公司公开信息、2025年上半年财务数据及行业趋势，对其研发投入重点方向进行系统分析。
二、研发投入整体情况
根据2025年上半年财报（[0]），士兰微研发支出为
1.24亿元
（人民币，下同），占同期总收入（63.36亿元）的
1.96%
。尽管研发投入占比不高，但结合IDM模式的特点，其研发投入分布于
芯片设计、晶圆制造、封装测试
全产业链，重点用于工艺优化、产品升级及新兴领域布局。
三、研发投入重点方向分析
（一）功率半导体：新能源与汽车电子的核心支撑
功率半导体是士兰微的传统优势领域，也是其研发投入的核心方向。公司产品涵盖
IGBT、MOSFET、功率模块
等，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、工业控制等场景。
（二）第三代化合物半导体：SiC与GaN的规模化应用
士兰微在
SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等第三代化合物半导体领域布局较早，研发投入重点在于
器件设计与工艺优化，以实现规模化量产。
SiC器件
：主要用于新能源汽车、光伏逆变器等高压场景。公司研发的SiC MOSFET
（650V/1200V）已通过AEC-Q101汽车认证，2025年上半年出货量较2024年同期增长40%，研发投入用于优化栅极结构（降低开关损耗）及晶圆切割技术（提高晶圆利用率）。GaN器件
：针对5G通讯、服务器电源等高频场景，研发GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）
，目标实现开关频率≥100kHz、损耗≤0.5W
。2025年上半年，GaN器件收入占比虽仅为3%，但研发投入增速达35%（较2024年同期），显示公司对该领域的重视。
（三）LED技术升级：Mini/Micro LED的产业化
士兰微是国内LED芯片龙头企业，研发投入重点在于
Mini/Micro LED
的技术突破，以应对传统LED市场的增长放缓。
（四）先进制程与封装技术：IDM模式的核心优势
作为IDM企业，士兰微的研发投入不仅限于产品设计，还包括
晶圆制程与封装技术
的优化，以提升整体效率。
晶圆制程
：针对8吋（士兰集昕）、12吋（士兰集科）晶圆生产线，研发先进制程工艺
（如0.18μm、0.13μm），目标实现产能利用率≥95%
（2025年上半年已达92%）。研发投入用于优化光刻、蚀刻等环节，降低晶圆缺陷率（目标≤0.5%）。先进封装
：研发**SiP（系统级封装）、WLCSP（晶圆级芯片封装）**等技术，以提高器件的集成度（如将功率器件与驱动芯片封装在一起）及散热性能。2025年上半年，先进封装产品收入占比达15%，主要用于新能源汽车及通讯领域。
四、研发投入的战略意义
士兰微的研发投入方向与
国家半导体产业政策
（如《“十四五”集成电路产业发展规划》）及
行业趋势
（新能源、汽车电子、第三代半导体）高度契合，其战略意义在于：
强化国产化替代
：针对功率半导体、SiC/GaN等关键领域，减少对进口的依赖（如新能源汽车IGBT进口占比仍达60%）。拓展高价值市场
：新能源、汽车电子、算力等领域的产品附加值较高（如SiC器件价格是硅器件的3-5倍），研发投入有助于提升公司的产品结构（高附加值产品占比目标2025年达30%）。巩固IDM优势
：通过全产业链研发，提升设计与制造的协同效应（如设计环节优化后，制造环节可快速调整工艺），降低整体成本（目标2025年成本较2024年下降10%）。
五、未来展望
随着新能源、汽车电子等领域的快速增长，士兰微的研发投入有望持续增加（目标2025年研发支出占比达2.5%）。未来，其研发重点将进一步向
第三代半导体
（SiC/GaN）、
汽车电子
（如ADAS芯片）及
先进制程
（如7nm以下）倾斜，以保持在国内半导体行业的领先地位。
六、结论
士兰微的研发投入重点围绕“功率半导体、第三代化合物半导体、LED技术升级、先进制程与封装”四大方向，旨在强化核心竞争力、拓展高价值市场及巩固IDM优势。尽管当前研发投入占比不高，但结合全产业链的协同效应，其研发效率（如新产品推出周期较行业平均缩短1-2个月）及产出（如新能源汽车芯片出货量增速达40%）均处于行业前列。未来，随着研发投入的持续增加，士兰微有望成为国内半导体行业的“全能型选手”。