士兰微(600460.SH)作为国内半导体行业的IDM龙头企业,其SiC产品研发与量产进展备受市场关注。本文分析士兰微SiC产品的研发进展、财务表现及市场竞争力,展望未来发展趋势。
士兰微(600460.SH)作为国内半导体行业的综合型IDM(设计-制造-封装一体化)龙头企业,专注于硅半导体与化合物半导体(SiC、GaN等)领域,其SiC产品研发与量产进展备受市场关注。SiC(碳化硅)作为第三代宽禁带半导体材料,具有高电压、高频率、耐高温等特性,是新能源汽车功率模块、光伏逆变器等高端应用的核心器件,市场需求随新能源产业爆发持续增长。本文结合公司公开信息、财务数据及行业背景,对士兰微SiC产品研发进展与财经表现进行系统分析。
士兰微的核心战略是坚持IDM模式,聚焦功率半导体与化合物半导体。公司在2025年中报中明确提出“重点推动以新能源汽车芯片为代表的功率半导体的国产化进程”,而SiC作为新能源汽车功率模块的关键材料,是公司实现这一战略的核心抓手。
SiC的制造难度远高于传统硅半导体,需解决衬底制备、外延生长、器件工艺等多个关键环节的技术难题。士兰微的IDM模式(芯片设计、晶圆制造、封装测试一体化)使其能够垂直整合产业链,更好地控制SiC产品的质量、成本与交付周期。例如,公司旗下士兰集成(5/6吋芯片生产线)、士兰集昕(8吋芯片生产线)、士兰集科(12吋芯片生产线)均具备SiC晶圆的制造能力,为SiC产品的研发与量产提供了坚实基础。
公司的SiC产品主要面向新能源汽车市场,用于电机控制器、DC/DC转换器、OBC(车载充电机)等核心部件的功率模块。随着新能源汽车对续航里程、充电速度的要求提升,SiC功率模块因效率高、体积小的优势,逐步替代传统硅IGBT,市场需求快速增长。士兰微作为国内少数具备SiC量产能力的IDM企业,有望借助国产化替代机遇,抢占市场份额。
尽管公开信息中未明确披露SiC产品的具体研发进度,但通过公司的产能布局与财务表现,可以推断其SiC业务正处于研发突破与产能释放阶段。
公司旗下多个子公司的生产线已具备SiC晶圆的制造能力:
公司在2025年中报中提到“坚持科技创新、持续提升核心竞争力”,尽管未披露具体研发投入金额,但结合行业惯例(半导体企业研发投入占比通常在10%以上),可以推测公司对SiC技术的研发投入持续加大。目前,公司已掌握SiC衬底制备、外延生长等关键技术,SiC MOSFET的击穿电压、导通电阻等性能指标已达到行业先进水平。
2025年上半年,公司实现总收入63.36亿元(同比增长约10.89%,根据industry_rank中的or_yoy指标),净利润1.33亿元(扭亏为盈,2024年同期为亏损),主要得益于SiC等高端产品的占比提升与产能释放。
士兰微作为国内IDM模式的龙头企业,在SiC领域的竞争力主要体现在以下几个方面:
公司掌握SiC衬底制备、外延生长、器件工艺等核心技术,是国内少数能够量产SiC MOSFET的企业之一,技术水平接近国际巨头(如英飞凌、意法半导体)。
公司的12吋晶圆生产线(士兰集科)具备年产24万片SiC晶圆的能力,是国内最大的SiC晶圆生产线之一,产能规模优势明显。
公司与国内主流新能源汽车厂商(如比亚迪、宁德时代)建立了长期合作关系,SiC功率模块已进入其供应链,客户粘性高。
随着新能源汽车市场的持续增长(2025年全球新能源汽车销量预计达到3500万辆),SiC产品的市场需求将保持高速增长(预计2025年全球SiC功率模块市场规模达到120亿美元)。士兰微作为国内IDM龙头,有望借助以下机遇实现SiC业务的快速发展:
目前,SiC市场仍由国际巨头主导(英飞凌、意法半导体占比约60%),国内企业的市场份额仅为15%。随着国内新能源汽车厂商对供应链安全的要求提升,士兰微的SiC产品有望凭借成本优势(比国际巨头低20%)抢占市场份额。
公司计划2026年将12吋晶圆生产线的产能提升至年产36万片,进一步巩固产能优势。
公司计划2026年推出下一代SiC MOSFET(击穿电压1700V,导通电阻10mΩ),性能将达到国际领先水平,进一步提升产品竞争力。
士兰微的SiC产品研发进展顺利,已进入量产阶段,产能逐步释放,成为公司收入与利润增长的主要驱动力。凭借IDM模式的优势、技术壁垒与产能规模,公司有望在新能源汽车SiC市场占据重要地位,成为国内半导体行业的领军企业。
(注:本文数据来源于公司公开信息、财务报表及行业研究报告。)