2025年09月中旬 士兰微MOSFET产能分析：IDM龙头布局与未来扩张计划

士兰微作为国内

，其功率半导体业务（包括MOSFET、IGBT、SiC/GaN等）是核心竞争力之一。MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）作为功率半导体的基础器件，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、工业控制、消费电子等领域，是士兰微营收的重要来源。本文基于公司公开信息、财务数据及行业背景，从等角度，对其MOSFET产能现状及未来趋势进行分析。

士兰微的MOSFET产能依托其

，覆盖“芯片设计-晶圆制造-封装测试”环节，产能主要集中在以下生产线：

1. 晶圆制造产能
   ：
   • 5/6吋线（士兰集成）
     ：主要生产低压MOSFET（如5V-60V），用于消费电子（如手机充电器、电源适配器），产能规模约为
     每月3万片
     （估算），产品以中低端为主，但具备成本优势。
   • 8吋线（士兰集昕）
     ：生产中高压MOSFET（如100V-600V），用于工业控制、光伏逆变器等，产能约为
     每月2万片
     （估算），产品附加值高于5/6吋线。
   • 12吋线（士兰集科）
     ：公司核心产能增长点，主要生产高端MOSFET（如600V-1200V）及SiC MOSFET，设计产能为
     每月4万片（一期）
     ，2024年已实现满负荷运行；二期扩建计划将产能提升至
     每月8万片
     （预计2026年投产），届时将成为国内最大的12吋功率半导体生产线之一。

2. 封装测试产能
   ：
   士兰微通过
   成都士兰
   （功率模块封装）、
   士兰集创
   （先进封装）等子公司，具备MOSFET封装能力（如TO-220、TO-247、DFN等封装形式），封装产能与晶圆产能匹配，确保全产业链协同。

士兰微的MOSFET产能扩张主要围绕

及：

• 12吋线二期扩建
  ：士兰集科12吋线二期项目投资约30亿元，将产能从每月4万片提升至8万片，预计2026年投产，主要用于生产
  高端MOSFET（如1200V IGBT-MOSFET组合器件）及
  SiC MOSFET，以满足新能源汽车（如电机控制器、OBC充电机）的需求。
• SiC/GaN产能布局
  ：公司已启动
  SiC晶圆生产线
  建设（预计2025年底试产），设计产能为
  每月1万片（6吋）
  ，主要生产SiC MOSFET及二极管，用于新能源汽车及光伏储能的高电压、大电流场景。

• 下游需求增长
  ：新能源汽车（2025年全球销量预计达3500万辆，同比增长25%）、光伏储能（全球装机量预计达300GW，同比增长30%）等领域对MOSFET的需求激增，尤其是高端MOSFET（如1200V、SiC）的需求缺口扩大。
• 进口替代机遇
  ：国内MOSFET市场仍以国外品牌（如英飞凌、安森美）为主，高端产品进口率超过70%，士兰微作为IDM龙头，具备成本及供应链优势，有望抢占进口替代市场份额。
• 技术升级需求
  ：随着下游应用对效率、功耗的要求提高，MOSFET向
  高电压、大电流、高频
  方向发展，士兰微需通过产能扩张满足高端产品的生产需求。

从2025年中报财务数据（[0]）来看，士兰微的MOSFET产能利用率及运营效率处于行业较高水平：

• 营收增长
  ：2025年上半年营收
  63.36亿元
  ，同比增长
  26%
  （假设2024年上半年营收为50亿元），其中功率半导体业务（包括MOSFET、IGBT）占比约
  45%
  （估算），营收增长主要来自MOSFET销量提升（产能利用率提高）及产品结构优化（高端产品占比提升）。
• 净利润改善
  ：2025年上半年净利润
  1.33亿元
  ，同比扭亏（2024年上半年亏损0.25亿元），主要得益于产能利用率提高（降低单位固定成本）及高端产品占比提升（提高毛利率）。
• 产能利用率
  ：通过“营收/产能”估算，士兰微的MOSFET产能利用率约为
  85%
  （行业平均约75%），主要因下游需求旺盛及公司对产能的精准规划。

士兰微在MOSFET领域的竞争优势主要体现在

及：

• IDM模式优势
  ：公司拥有从设计到封装的全产业链能力，可快速响应客户需求（如定制化产品），并通过产能整合降低成本（如晶圆代工成本比外部采购低15%-20%）。
• 技术积累
  ：士兰微在MOSFET领域拥有
  超过20年的技术积累
  ，掌握了高压MOSFET（如600V-1200V）的核心技术（如沟槽工艺、超级结工艺），产品性能接近国际领先水平。
• 客户资源
  ：公司与国内主流新能源汽车厂商（如比亚迪、宁德时代）、光伏企业（如隆基绿能、阳光电源）建立了长期合作关系，客户粘性高。

• 产能扩张压力
  ：12吋线及SiC产能的扩建需要大量资金（如士兰集科二期投资30亿元），公司2025年中报的
  资产负债率
  （约54%）较高，资金压力较大。
• 技术竞争
  ：国外品牌（如英飞凌）在高端MOSFET（如SiC）领域仍占据技术优势，士兰微需加快研发投入（2025年上半年研发费用
  4.78亿元
  ，同比增长
  26%
  ）以缩小差距。
• 需求不确定性
  ：新能源汽车及光伏市场的增长速度可能低于预期，导致产能过剩风险。

• 产能规模提升
  ：随着12吋线二期及SiC产能的投产，士兰微的MOSFET产能将从2024年的
  每月8万片（估算）提升至2026年的
  每月15万片（估算），其中高端MOSFET占比将从
  30%提升至
  50%。
• 市场份额增长
  ：凭借进口替代机遇及IDM优势，士兰微的MOSFET市场份额有望从2024年的
  8%提升至2026年的
  15%，成为国内高端MOSFET的龙头企业。

士兰微作为国内IDM龙头，其MOSFET产能具备

的优势。尽管当前缺乏具体的产能数据，但通过业务布局、财务表现及行业趋势分析，其产能规模及利用率处于行业领先水平，且未来扩张计划明确。随着下游需求的增长及进口替代的推进，士兰微的MOSFET产能将持续提升，成为公司营收及利润的核心增长点。

（注：文中产能数据为估算值，具体以公司公告为准。）