普冉股份产品创新方向财经分析报告

一、引言

普冉股份（688766.SH）是科创板上市的非易失性存储器芯片设计企业，成立于2016年，2021年登陆科创板。公司以“存储+”战略为核心，聚焦NOR Flash、EEPROM等核心存储产品的技术迭代，同时拓展MCU（微控制器）及模拟芯片领域，目标成为全球领先的“存储+”解决方案供应商。本文基于公司公开信息、财务数据及行业趋势，从核心产品迭代、多元化拓展、新兴领域定制、研发支撑四大维度，分析其产品创新方向及市场逻辑。

二、现有核心存储产品：技术迭代与性能优化

公司的核心业务为NOR Flash和EEPROM芯片设计，两者均属于通用型非易失性存储器，广泛应用于物联网、智能手机、可穿戴设备等领域。其创新方向主要围绕高密度、低功耗、高可靠性展开：

1. NOR Flash：制程升级与功能强化

NOR Flash是公司的传统优势产品，占总收入的60%以上（2024年年报）。近年来，公司通过制程工艺升级提升产品竞争力：

• 制程缩小：从11nm制程向8nm演进（行业主流为12nm-8nm），降低单位面积成本，同时提升存储密度（如推出1Gb容量的8nm NOR Flash，较11nm产品容量提升50%）；
• 低功耗优化：针对物联网设备（如智能传感器、NB-IoT终端）的长续航需求，推出“超低压系列”NOR Flash（工作电压低至1.2V，功耗较传统产品降低30%）；
• 车规级认证：随着汽车电子（如ADAS、车机系统）对存储的可靠性要求提升，公司推出AEC-Q100认证的车规级NOR Flash，满足-40℃至125℃的宽温度范围需求，耐久性提升至10万次擦写（消费级为1万次）。

2. EEPROM：高可靠性与大容量拓展

EEPROM主要用于存储设备配置信息（如智能手机的摄像头参数、可穿戴设备的健康数据），公司的创新重点在于提升可靠性与容量：

• 高耐久性：推出“工业级EEPROM”（擦写次数达100万次，远高于消费级的10万次），适用于工业控制（如PLC、传感器）等高频读写场景；
• 大容量串行EEPROM：针对智能手表、TWS耳机等设备的存储需求，推出4Mb串行EEPROM（较传统1Mb产品容量提升3倍），支持更快的读写速度（100MHz SPI接口）；
• 集成加密功能：部分EEPROM产品集成AES-128加密算法，用于存储敏感信息（如支付设备的密钥），提升数据安全性。

三、“存储+”战略：多元化创新拓展高附加值领域

2021年，公司提出“存储+”战略，依托存储技术优势，拓展MCU（微控制器）及模拟芯片领域，目标实现“存储+控制+模拟”的一体化解决方案。这一战略是公司产品创新的核心方向，具体包括：

1. MCU：集成存储的高性价比解决方案

公司的MCU产品以“存储+控制”为特色，主要针对物联网、工业控制等领域：

• 集成NOR Flash的MCU：推出32位ARM Cortex-M0+内核的MCU，集成128KB-512KB NOR Flash（无需外部存储芯片），降低客户BOM成本（较分离方案降低20%）；
• 低功耗MCU：针对电池供电设备（如智能传感器、无线门铃），推出“睡眠模式功耗<1μA”的MCU，支持蓝牙5.0连接，满足长续航需求；
• 工业级MCU：推出“抗干扰系列”MCU（支持ESD保护等级达8kV），适用于工业现场（如电机控制、仪表）等电磁环境复杂的场景。

2. 模拟芯片：互补存储的整体解决方案

模拟芯片主要包括电源管理（PMIC）、传感器接口（ADC/DAC）等，公司的创新聚焦于与存储产品的协同：

• 存储专用PMIC：针对NOR Flash/EEPROM的供电需求，推出“一体化PMIC”（集成LDO、DC/DC转换器），降低存储芯片的供电纹波（<10mV），提升数据存储稳定性；
• 传感器接口芯片：推出“低噪声ADC”（分辨率达16位，噪声电平<1μV），配合公司的EEPROM，用于智能手表的心率传感器、工业传感器的信号采集，实现“采集-存储-传输”的一体化解决方案。

四、面向新兴应用领域的定制化创新

公司的产品创新紧密围绕新兴应用领域的需求，主要包括：

1. 物联网（IoT）：低功耗、小尺寸存储

随着全球物联网设备数量（预计2025年达300亿台）的增长，公司推出“物联网专用存储组合”：

• 超小封装：NOR Flash采用WLCSP封装（尺寸小至2mm×2mm），适用于智能传感器（如土壤湿度传感器）等小型设备；
• 边缘计算存储：针对边缘计算节点（如智能网关）的低延迟需求，推出“高速NOR Flash”（读写速度达800Mbps，较传统产品提升2倍），支持边缘设备的实时数据处理。

2. 可穿戴设备：超小体积与高集成度

可穿戴设备（如智能手表、TWS耳机）对存储的体积与功耗要求极高，公司推出“可穿戴专用存储”：

• 叠层封装（PoP）：将NOR Flash与MCU叠层封装（厚度<1mm），减少设备内部空间占用（较分离方案节省40%空间）；
• 健康数据存储：针对智能手表的健康监测功能（如心率、血氧），推出“高可靠性EEPROM”（存储寿命达10年，确保长期数据保存）。

3. 服务器与光模块：高速、高容量存储

服务器（如数据中心）与光模块（如5G/100G光模块）需要高速存储来支持固件升级与数据缓存，公司推出“ enterprise级NOR Flash”：

• 高速接口：支持DDR4接口（读写速度达3.2Gbps，较传统SPI接口提升4倍），适用于服务器的BIOS存储；
• 高容量：推出8Gb NOR Flash（较传统4Gb产品容量提升1倍），支持光模块的固件升级（如5G光模块的协议更新）。

五、研发投入与技术平台的支撑

公司的产品创新依赖于持续的研发投入与技术平台的构建：

1. 研发投入强度持续提升

2025年上半年，公司研发费用达1.48亿元（同比增长35%），占总收入的16.3%（2024年全年为12.5%）。研发投入主要用于：

• 现有产品的制程升级（如NOR Flash从11nm向8nm演进）；
• 新领域的技术储备（如MCU的内核研发、模拟芯片的电源管理技术）；
• 专利布局（截至2025年6月，公司拥有存储相关专利120项，其中发明专利占比60%）。

2. 技术平台的协同效应

公司构建了“存储技术平台+MCU技术平台+模拟技术平台”的协同体系：

• 存储技术平台：基于NOR Flash/EEPROM的制程与设计经验，为MCU提供集成存储的核心技术；
• MCU技术平台：基于ARM Cortex-M内核的设计经验，为模拟芯片提供控制接口支持；
• 模拟技术平台：基于电源管理与传感器接口的设计经验，为存储产品提供稳定的供电解决方案。

六、创新驱动的市场表现与挑战

1. 市场表现：国际客户导入与份额提升

公司的创新产品已获得国际市场的认可：

• 客户覆盖：产品应用于三星、OPPO、vivo、小米等智能手机厂商，以及亚马逊（智能音箱）、美的（物联网家电）等海外客户；
• 市场份额：2024年，公司NOR Flash全球市场份额达5%（较2023年提升1.5个百分点），EEPROM全球市场份额达3%（较2023年提升1个百分点）；
• 海外收入占比：2024年海外收入占比达30%（较2023年提升8个百分点），主要来自日、韩、美等市场的车载与工控领域。

2. 挑战：研发投入与利润压力

2025年上半年，公司净利润预减70.58%（预计净利润4000万元），主要原因包括：

• 研发费用增长：研发费用同比增长35%（1.48亿元），导致期间费用率提升至25%（2024年上半年为18%）；
• 存货减值：受消费电子市场疲软影响，存货（主要为存储芯片）减值损失达4632万元（同比增长150%）。

尽管短期利润承压，但研发投入是长期竞争力的核心，公司的“存储+”战略已初见成效（2024年MCU与模拟芯片收入占比达15%，较2023年提升5个百分点），未来有望成为新的利润增长点。

七、结论与展望

普冉股份的产品创新方向可总结为**“核心存储迭代+‘存储+’多元化+新兴领域定制”**：

• 短期：聚焦现有存储产品（NOR Flash、EEPROM）的制程升级与性能优化，提升市场份额；
• 中期：推进“存储+”战略，拓展MCU与模拟芯片领域，实现一体化解决方案；
• 长期：面向物联网、汽车电子等新兴领域，推出定制化存储与控制产品，成为全球领先的“存储+”解决方案供应商。

未来，公司的创新能否成功，关键在于研发投入的效率（如是否能将研发投入转化为新产品的市场份额）及新兴领域的需求捕捉（如汽车电子、物联网的增长是否符合预期）。尽管短期面临利润压力，但长期来看，公司的创新布局有望支撑其成为非易失性存储器领域的龙头企业。