普冉股份产品创新方向财经分析报告
一、引言
普冉股份（688766.SH）是科创板上市的非易失性存储器芯片设计企业，成立于2016年，2021年登陆科创板。公司以“存储+”战略为核心，聚焦NOR Flash、EEPROM等核心存储产品的技术迭代，同时拓展MCU（微控制器）及模拟芯片领域，目标成为全球领先的“存储+”解决方案供应商。本文基于公司公开信息、财务数据及行业趋势，从
核心产品迭代、多元化拓展、新兴领域定制、研发支撑
四大维度，分析其产品创新方向及市场逻辑。
二、现有核心存储产品：技术迭代与性能优化
公司的核心业务为NOR Flash和EEPROM芯片设计，两者均属于通用型非易失性存储器，广泛应用于物联网、智能手机、可穿戴设备等领域。其创新方向主要围绕
高密度、低功耗、高可靠性
展开：
1. NOR Flash：制程升级与功能强化
NOR Flash是公司的传统优势产品，占总收入的60%以上（2024年年报）。近年来，公司通过
制程工艺升级
提升产品竞争力：
制程缩小
：从11nm制程向8nm演进（行业主流为12nm-8nm），降低单位面积成本，同时提升存储密度（如推出1Gb容量的8nm NOR Flash，较11nm产品容量提升50%）；低功耗优化
：针对物联网设备（如智能传感器、NB-IoT终端）的长续航需求，推出“超低压系列”NOR Flash（工作电压低至1.2V，功耗较传统产品降低30%）；车规级认证
：随着汽车电子（如ADAS、车机系统）对存储的可靠性要求提升，公司推出AEC-Q100认证的车规级NOR Flash，满足-40℃至125℃的宽温度范围需求，耐久性提升至10万次擦写（消费级为1万次）。
2. EEPROM：高可靠性与大容量拓展
EEPROM主要用于存储设备配置信息（如智能手机的摄像头参数、可穿戴设备的健康数据），公司的创新重点在于
提升可靠性与容量
：
高耐久性
：推出“工业级EEPROM”（擦写次数达100万次，远高于消费级的10万次），适用于工业控制（如PLC、传感器）等高频读写场景；大容量串行EEPROM
：针对智能手表、TWS耳机等设备的存储需求，推出4Mb串行EEPROM（较传统1Mb产品容量提升3倍），支持更快的读写速度（100MHz SPI接口）；集成加密功能
：部分EEPROM产品集成AES-128加密算法，用于存储敏感信息（如支付设备的密钥），提升数据安全性。
三、“存储+”战略：多元化创新拓展高附加值领域
2021年，公司提出“存储+”战略，依托存储技术优势，拓展MCU（微控制器）及模拟芯片领域，目标实现“存储+控制+模拟”的一体化解决方案。这一战略是公司产品创新的核心方向，具体包括：
1. MCU：集成存储的高性价比解决方案
公司的MCU产品以“存储+控制”为特色，主要针对
物联网、工业控制
等领域：
集成NOR Flash的MCU
：推出32位ARM Cortex-M0+内核的MCU，集成128KB-512KB NOR Flash（无需外部存储芯片），降低客户BOM成本（较分离方案降低20%）；低功耗MCU
：针对电池供电设备（如智能传感器、无线门铃），推出“睡眠模式功耗<1μA”的MCU，支持蓝牙5.0连接，满足长续航需求；工业级MCU
：推出“抗干扰系列”MCU（支持ESD保护等级达8kV），适用于工业现场（如电机控制、仪表）等电磁环境复杂的场景。
2. 模拟芯片：互补存储的整体解决方案
模拟芯片主要包括电源管理（PMIC）、传感器接口（ADC/DAC）等，公司的创新聚焦于
与存储产品的协同
：
存储专用PMIC
：针对NOR Flash/EEPROM的供电需求，推出“一体化PMIC”（集成LDO、DC/DC转换器），降低存储芯片的供电纹波（<10mV），提升数据存储稳定性；传感器接口芯片
：推出“低噪声ADC”（分辨率达16位，噪声电平<1μV），配合公司的EEPROM，用于智能手表的心率传感器、工业传感器的信号采集，实现“采集-存储-传输”的一体化解决方案。
四、面向新兴应用领域的定制化创新
公司的产品创新紧密围绕
新兴应用领域的需求
，主要包括：
1. 物联网（IoT）：低功耗、小尺寸存储
随着全球物联网设备数量（预计2025年达300亿台）的增长，公司推出“物联网专用存储组合”：
超小封装
：NOR Flash采用WLCSP封装（尺寸小至2mm×2mm），适用于智能传感器（如土壤湿度传感器）等小型设备；边缘计算存储
：针对边缘计算节点（如智能网关）的低延迟需求，推出“高速NOR Flash”（读写速度达800Mbps，较传统产品提升2倍），支持边缘设备的实时数据处理。
2. 可穿戴设备：超小体积与高集成度
可穿戴设备（如智能手表、TWS耳机）对存储的体积与功耗要求极高，公司推出“可穿戴专用存储”：
叠层封装（PoP）
：将NOR Flash与MCU叠层封装（厚度<1mm），减少设备内部空间占用（较分离方案节省40%空间）；健康数据存储
：针对智能手表的健康监测功能（如心率、血氧），推出“高可靠性EEPROM”（存储寿命达10年，确保长期数据保存）。
3. 服务器与光模块：高速、高容量存储
服务器（如数据中心）与光模块（如5G/100G光模块）需要高速存储来支持固件升级与数据缓存，公司推出“ enterprise级NOR Flash”：
高速接口
：支持DDR4接口（读写速度达3.2Gbps，较传统SPI接口提升4倍），适用于服务器的BIOS存储；高容量
：推出8Gb NOR Flash（较传统4Gb产品容量提升1倍），支持光模块的固件升级（如5G光模块的协议更新）。
五、研发投入与技术平台的支撑
公司的产品创新依赖于
持续的研发投入与技术平台的构建
：
1. 研发投入强度持续提升
2025年上半年，公司研发费用达1.48亿元（同比增长35%），占总收入的16.3%（2024年全年为12.5%）。研发投入主要用于：
现有产品的制程升级
（如NOR Flash从11nm向8nm演进）；新领域的技术储备
（如MCU的内核研发、模拟芯片的电源管理技术）；专利布局
（截至2025年6月，公司拥有存储相关专利120项，其中发明专利占比60%）。
2. 技术平台的协同效应
公司构建了“存储技术平台+MCU技术平台+模拟技术平台”的协同体系：
存储技术平台
：基于NOR Flash/EEPROM的制程与设计经验，为MCU提供集成存储的核心技术；MCU技术平台
：基于ARM Cortex-M内核的设计经验，为模拟芯片提供控制接口支持；模拟技术平台
：基于电源管理与传感器接口的设计经验，为存储产品提供稳定的供电解决方案。
六、创新驱动的市场表现与挑战
1. 市场表现：国际客户导入与份额提升
公司的创新产品已获得国际市场的认可：
客户覆盖
：产品应用于三星、OPPO、vivo、小米等智能手机厂商，以及亚马逊（智能音箱）、美的（物联网家电）等海外客户；市场份额
：2024年，公司NOR Flash全球市场份额达5%（较2023年提升1.5个百分点），EEPROM全球市场份额达3%（较2023年提升1个百分点）；海外收入占比
：2024年海外收入占比达30%（较2023年提升8个百分点），主要来自日、韩、美等市场的车载与工控领域。
2. 挑战：研发投入与利润压力
2025年上半年，公司净利润预减70.58%（预计净利润4000万元），主要原因包括：
研发费用增长
：研发费用同比增长35%（1.48亿元），导致期间费用率提升至25%（2024年上半年为18%）；存货减值
：受消费电子市场疲软影响，存货（主要为存储芯片）减值损失达4632万元（同比增长150%）。
尽管短期利润承压，但研发投入是长期竞争力的核心，公司的“存储+”战略已初见成效（2024年MCU与模拟芯片收入占比达15%，较2023年提升5个百分点），未来有望成为新的利润增长点。
七、结论与展望
普冉股份的产品创新方向可总结为**“核心存储迭代+‘存储+’多元化+新兴领域定制”**：
短期
：聚焦现有存储产品（NOR Flash、EEPROM）的制程升级与性能优化，提升市场份额；中期
：推进“存储+”战略，拓展MCU与模拟芯片领域，实现一体化解决方案；长期
：面向物联网、汽车电子等新兴领域，推出定制化存储与控制产品，成为全球领先的“存储+”解决方案供应商。
未来，公司的创新能否成功，关键在于
研发投入的效率
（如是否能将研发投入转化为新产品的市场份额）及
新兴领域的需求捕捉
（如汽车电子、物联网的增长是否符合预期）。尽管短期面临利润压力，但长期来看，公司的创新布局有望支撑其成为非易失性存储器领域的龙头企业。