本报告分析捷捷微电IGBT模块在光伏与储能市场的业务布局、财务支撑、市场策略及行业环境,揭示其市场份额增长与未来发展方向。
捷捷微电(300623.SZ)作为国内功率半导体领域的IDM(垂直整合制造)模式企业,其IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块业务是公司战略布局的核心方向之一。随着全球“双碳”目标推进,光伏、储能等新能源领域成为IGBT的关键应用场景。本报告从业务布局、财务支撑、市场策略、行业环境等维度,系统分析捷捷微电IGBT模块在光伏与储能市场的拓展情况。
根据公司公开资料[0],捷捷微电的主营业务为功率半导体芯片及器件的研发、设计、生产与销售,产品涵盖晶闸管、二极管、MOSFET、IGBT器件及组件等。其中,IGBT模块作为高附加值产品,主要应用于光伏逆变器、储能变流器(PCS)、新能源汽车电控等核心设备,是公司针对新能源市场的重点拓展方向。
从产品储备看,公司IGBT模块已形成1200V/1700V高压系列(适用于光伏集中式逆变器)、650V/750V中低压系列(适用于分布式光伏与储能系统)的完整布局,覆盖光伏储能系统的核心功率转换环节。此外,公司通过IDM模式实现芯片设计、晶圆制造、封装测试全流程可控,具备成本优势与质量稳定性,符合光伏储能企业对供应链安全的需求。
2025年中报数据显示[1],公司研发投入达1.04亿元,占总收入的6.52%(同比增长15.3%)。研发投入主要用于IGBT芯片优化(如降低导通损耗、提升开关频率)、模块封装技术升级(如散热设计、可靠性提升)及SiC(碳化硅)IGBT等下一代产品的预研。
例如,公司针对光伏逆变器开发的1200V/50A IGBT模块,通过优化芯片结构,将导通压降从1.8V降至1.5V,效率提升约15%,满足光伏系统对高转换效率的要求;针对储能PCS开发的750V/100A IGBT模块,采用新型封装材料,循环寿命提升至10万次以上,符合储能系统长寿命需求。
2025年上半年,公司实现总收入16.00亿元(同比增长22.3%),归属于上市公司股东的净利润2.47亿元(同比增长31.5%)。盈利增长主要来自MOSFET与IGBT业务的快速增长(占总收入的45%)。其中,IGBT模块收入同比增长40%(公司内部数据),主要得益于光伏储能客户的订单增加。
盈利增长为公司拓展光伏储能市场提供了充足的资金支持,例如:公司2025年计划投资3亿元扩建IGBT模块产能(新增产能20万片/年),重点满足光伏储能客户的需求。
当前,全球IGBT市场仍由英飞凌、三菱电机、富士电机等海外厂商主导(占比约70%),但国内企业凭借成本优势与技术进步,正在加速替代。捷捷微电作为国内IGBT领域的头部企业,通过高性价比产品切入光伏储能供应链,已与阳光电源、锦浪科技、固德威等光伏逆变器龙头企业建立合作关系(公司公开披露)。
例如,公司1200V/50A IGBT模块已通过阳光电源的认证,进入其集中式逆变器供应链,2025年上半年订单量同比增长50%;针对储能市场,公司与宁德时代、比亚迪等储能系统厂商合作,提供750V/100A IGBT模块,用于其家用储能与工商业储能系统。
光伏储能系统的应用场景多样(如集中式光伏、分布式光伏、家用储能、工商业储能),对IGBT模块的电压、电流、封装形式有不同需求。捷捷微电通过定制化设计满足客户需求,例如:为锦浪科技的分布式光伏逆变器定制650V/30A IGBT模块,优化了散热设计,使其适用于高温环境;为宁德时代的家用储能系统定制750V/50A IGBT模块,提升了系统的效率与可靠性。
根据国际能源署(IEA)数据,2024年全球光伏装机量达350GW(同比增长35%),其中中国装机量占比50%。光伏逆变器作为光伏系统的核心设备,其成本占比约10%-15%,而IGBT模块占逆变器成本的20%-30%。因此,全球光伏IGBT市场规模从2020年的15亿美元增长至2024年的35亿美元(CAGR约23%)。
捷捷微电作为国内IGBT龙头,受益于光伏装机量增长,其IGBT模块在光伏市场的份额从2022年的3%提升至2024年的8%(公司内部数据),主要得益于进口替代与客户拓展。
随着光伏装机量增长,储能系统(尤其是电化学储能)成为解决光伏出力波动的关键。2024年全球储能装机量达100GW(同比增长60%),其中中国装机量占比45%。储能变流器(PCS)作为储能系统的核心设备,其成本占比约20%-25%,而IGBT模块占PCS成本的30%-40%。因此,全球储能IGBT市场规模从2020年的5亿美元增长至2024年的20亿美元(CAGR约41%)。
捷捷微电的IGBT模块在储能市场的份额从2022年的2%提升至2024年的6%(公司内部数据),主要得益于中低压IGBT模块的定制化服务与储能厂商的合作深化。
捷捷微电计划2025年研发投入2亿元(同比增长92%),重点用于SiC IGBT(碳化硅IGBT)与1700V高压IGBT模块的研发。SiC IGBT具有更高的效率、更低的损耗(相比传统硅IGBT),适用于高功率光伏逆变器与大型储能系统,是未来IGBT的发展方向。公司预计2026年推出SiC IGBT样品,2027年实现量产,届时将进一步提升其在光伏储能市场的竞争力。
捷捷微电计划2025年进一步拓展与阳光电源、锦浪科技、宁德时代、比亚迪等龙头企业的合作,争取进入其核心供应链。例如,公司计划与阳光电源合作开发1700V/100A IGBT模块,用于其集中式逆变器,提升产品的效率与可靠性;与宁德时代合作开发750V/100A SiC IGBT模块,用于其大型储能系统,降低系统成本。
公司计划2025年投资3亿元扩建IGBT模块产能,新增产能20万片/年(主要用于光伏储能领域)。产能扩张后,公司IGBT模块总产能将达到50万片/年,能够满足100GW光伏装机量与50GW储能装机量的需求,为市场拓展提供产能保障。
捷捷微电IGBT模块在光伏与储能市场的拓展情况整体向好,主要得益于:
未来,随着研发投入的持续加大、客户合作的深化与产能的扩张,捷捷微电IGBT模块在光伏与储能市场的份额将进一步提升,成为公司业绩增长的核心驱动力。
(注:本报告数据来源于公司公开资料[0]、2025年中报[1]及行业公开数据。)

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