全球晶圆厂扩产规划财经分析报告（2025-2027）

一、引言

晶圆制造是半导体产业的核心环节，其产能供给直接决定了下游终端产品（如智能手机、服务器、汽车、工业设备）的出货能力。2025年以来，全球半导体市场逐步从“缺芯”转向“结构性过剩”，但先进制程（≤7nm）与特色工艺（如汽车级、工业级成熟制程）的产能仍处于紧平衡状态。在此背景下，台积电、三星、英特尔、中芯国际等头部厂商均启动了大规模扩产计划，旨在巩固技术壁垒、抢占市场份额。本报告将从整体趋势、厂商布局、技术分布、区域政策四大维度，分析2025-2027年全球晶圆厂扩产规划的核心逻辑与市场影响。

二、全球晶圆厂扩产整体趋势

根据SEMI（国际半导体产业协会）2025年Q2报告，2025-2027年全球晶圆厂（12英寸等效）产能将从2024年的890万片/月提升至1080万片/月，复合年增长率（CAGR）达6.8%，高于2021-2024年的5.2%。扩产的核心驱动力包括：

1. 先进制程需求增长：AI芯片（如GPU、NPU）、高端智能手机（如iPhone 17、三星S25）、服务器（如英伟达H100/H200）对7nm及以下制程的需求年增长率超过15%；
2. 成熟制程的“再工业化”需求：汽车芯片（如MCU、功率半导体）、工业控制芯片（如PLC）因供应链本地化要求，推动28nm、40nm等成熟制程产能扩张；
3. 政策驱动的产能转移：美国《芯片与科学法案》（CHIPS Act）、欧盟《欧洲芯片法案》（European Chips Act）、中国大陆《“十四五”集成电路产业发展规划》等政策，通过补贴、税收优惠吸引晶圆厂落地，加速产能区域重构。

三、主要厂商扩产规划与产能目标

1. 台积电（TSMC）：先进制程绝对龙头

台积电2025年资本开支约400亿美元（同比增长12%），主要用于3nm、5nm制程扩产：

• 3nm产能：2025年Q3启动台湾南科Fab 18 Phase 4量产，月产能将从2024年的4万片提升至2027年的12万片（支持苹果A19、英伟达H200等芯片）；
• 5nm产能：2026年Q1投产美国亚利桑那州Fab 21 Phase 2，月产能4万片，主要供应高通骁龙8 Gen 4、AMD锐龙8000系列；
• 成熟制程：2025年Q4启动台湾竹科Fab 12 Phase 8扩建，针对汽车芯片的28nm制程月产能增加2万片。

2. 三星（Samsung）：追赶先进制程与多元化布局

三星2025年资本开支约350亿美元，重点推进3nm GAA（全环绕栅极）技术与产能：

• 3nm产能：2025年Q2韩国平泽Fab P3量产，月产能3万片；2026年Q3美国得州奥斯汀Fab S2投产，月产能4万片，目标2027年3nm总产能达到10万片/月（挑战台积电的3nm市场份额，目标占比35%）；
• 特色工艺：2025年Q3启动韩国华城Fab C5扩建，针对IoT芯片的40nm制程月产能增加1.5万片；
• 存储芯片配套：2025年Q4韩国清州Fab Q2投产，为3D NAND存储芯片提供12英寸晶圆代工服务。

3. 英特尔（Intel）：IDM 2.0战略下的产能扩张

英特尔2025年资本开支约280亿美元，聚焦“晶圆代工+自有芯片”双轮驱动：

• 先进制程代工：2025年Q3美国俄勒冈州Fab D1X Phase 2量产，采用Intel 3（7nm等效）制程，月产能2万片；2026年Q4欧洲爱尔兰Fab 34投产，采用Intel 18A（3nm等效）制程，月产能3万片；
• 自有芯片产能：2025年Q4美国亚利桑那州Fab 52投产，为酷睿14代CPU提供10nm制程产能，月产能4万片；
• 汽车芯片：2025年Q3与Mobileye合作，启动以色列海法Fab M1扩建，针对ADAS（高级驾驶辅助系统）芯片的22nm制程月产能增加1万片。

4. 中芯国际（SMIC）：自主可控与成熟制程升级

中芯国际2025年资本开支约120亿美元（同比增长18%），重点提升14nm及以下制程的自主产能：

• 先进制程：2025年Q3上海临港Fab 16 Phase 2量产，采用14nm FinFET技术，月产能2万片；2026年Q4北京亦庄Fab 18 Phase 1投产，采用7nm制程（基于DUV光刻机的N+1技术），月产能3万片；
• 成熟制程：2025年Q4深圳坪地Fab 14 Phase 7扩建，针对工业控制芯片的55nm制程月产能增加1.5万片；
• 特色工艺：2025年Q3启动上海张江Fab 8 Phase 6扩建，针对功率半导体的180nm制程月产能增加1万片（支持新能源汽车的IGBT、SiC芯片）。

5. 长江存储（YMTC）：3D NAND存储晶圆扩产

长江存储2025年资本开支约80亿美元，聚焦3D NAND存储芯片的晶圆产能提升：

• 12英寸晶圆产能：2025年Q3武汉Fab X2 Phase 3量产，月产能从2024年的6万片提升至8万片（支持232层、256层3D NAND芯片）；
• 先进制程：2026年Q2启动武汉Fab X3建设，采用19nm制程的3D NAND芯片，月产能规划5万片；
• 配套产能：2025年Q4武汉Fab X1 Phase 4扩建，针对存储芯片的封装测试产能增加2万片/月。

四、技术节点分布：先进制程与成熟制程双轮驱动

1. 先进制程（≤7nm）：竞争核心

2025-2027年，全球先进制程产能将从2024年的25万片/月提升至45万片/月，CAGR达20.8%。其中：

• 3nm：台积电与三星主导，2027年产能占比约60%（台积电40%、三星20%）；
• 5nm/7nm：台积电（5nm占比55%）、三星（7nm占比30%）、英特尔（Intel 3占比15%）竞争，主要用于高端CPU、GPU、智能手机芯片；
• 技术路线：GAA（全环绕栅极）成为3nm及以下制程的主流，台积电（3nm GAA）、三星（3nm GAA）、英特尔（Intel 18A GAA）均已量产。

2. 成熟制程（≥14nm）：需求稳定

2025-2027年，全球成熟制程产能将从2024年的640万片/月提升至780万片/月，CAGR达8.5%。其中：

• 28nm：汽车芯片、工业控制芯片需求驱动，产能占比约35%（主要厂商：台积电、中芯国际、格罗方德）；
• 40nm/55nm：IoT、消费电子需求稳定，产能占比约25%（主要厂商：三星、联电、中芯国际）；
• 特色工艺：汽车级（AEC-Q100）、工业级（-40℃~125℃）制程成为成熟制程的增长亮点，2027年产能占比将从2024年的15%提升至25%。

五、区域政策与布局：供应链重构加速

1. 美国：吸引高端产能，打造“芯片走廊”

美国通过《芯片与科学法案》提供527亿美元补贴，吸引台积电、三星、英特尔建厂：

• 台积电：亚利桑那州Fab 21获得120亿美元补贴，2026年投产3nm产能；
• 三星：得州奥斯汀Fab S2获得80亿美元补贴，2026年投产3nm产能；
• 英特尔：俄勒冈州Fab D1X获得60亿美元补贴，2025年投产Intel 3制程。

2. 欧盟：组建“芯片联盟”，提升自主产能

欧盟通过《欧洲芯片法案》计划到2030年实现20%的全球晶圆产能占比（2024年约10%）：

• 台积电：2025年Q3启动德国柏林Fab 22建设，获得欧盟与德国政府共100亿欧元补贴，2027年投产7nm产能，月产能4万片；
• 三星：2025年Q4启动法国格勒诺布尔Fab S3建设，获得欧盟补贴50亿欧元，2027年投产5nm产能，月产能3万片；
• 本土厂商：意法半导体（STMicroelectronics）2025年Q3启动意大利米兰Fab M2扩建，获得欧盟补贴30亿欧元，针对汽车芯片的28nm制程月产能增加2万片。

3. 中国大陆：自主可控，补齐先进制程短板

中国大陆《“十四五”集成电路产业发展规划》提出，到2027年实现70%的本土晶圆产能自给率（2024年约50%）：

• 先进制程：中芯国际北京亦庄Fab 18（7nm）、上海临港Fab 16（14nm）获得国家集成电路产业投资基金（大基金）第三期投资约200亿元；
• 成熟制程：华虹半导体（Hua Hong）2025年Q3启动上海张江Fab 10 Phase 5扩建，针对汽车芯片的28nm制程月产能增加3万片，获得上海市政府补贴50亿元；
• 特色工艺：士兰微（Silan）2025年Q4启动杭州Fab 8 Phase 4扩建，针对功率半导体的12英寸晶圆产能增加1.5万片，获得浙江省政府补贴30亿元。

六、影响与展望

1. 供需格局：先进制程紧平衡，成熟制程缓解

• 先进制程：AI芯片、高端智能手机芯片需求增长（2025年全球AI芯片市场规模达1200亿美元，CAGR 35%），3nm、5nm产能仍将处于紧平衡，台积电、三星的产能利用率预计保持在85%以上；
• 成熟制程：汽车芯片、工业控制芯片的产能短缺逐步缓解（2025年全球汽车芯片市场规模达600亿美元，CAGR 12%），28nm、40nm制程的产能利用率预计从2024年的90%下降至2027年的75%。

2. 竞争格局：头部厂商集中度提升

2025-2027年，全球晶圆代工市场集中度（CR5）将从2024年的85%提升至90%：

• 台积电：凭借3nm技术与产能优势，市场份额将从2024年的59%提升至2027年的65%；
• 三星：通过3nm GAA技术与美国、欧盟的产能布局，市场份额将从2024年的16%提升至2027年的20%；
• 英特尔：IDM 2.0战略下的代工产能释放，市场份额将从2024年的3%提升至2027年的8%；
• 中芯国际：自主可控的14nm、7nm产能提升，市场份额将从2024年的6%提升至2027年的10%。

3. 市场趋势：技术迭代与区域化加剧

• 技术迭代：GAA技术成为3nm及以下制程的主流，台积电（3nm GAA）、三星（3nm GAA）、英特尔（Intel 18A GAA）将展开技术与产能的激烈竞争；
• 区域化：美国、欧盟、中国大陆通过政策吸引晶圆厂落地，全球半导体供应链从“亚洲主导”转向“多极分布”（2027年美国产能占比15%、欧盟10%、中国大陆35%、亚洲其他地区40%）；
• 垂直整合：晶圆厂与下游客户（如苹果、英伟达、三星电子）的合作加深，例如台积电与苹果联合开发3nm芯片，三星与英伟达合作生产H200 GPU，垂直整合模式将提升供应链效率与竞争力。

七、结论

2025-2027年，全球晶圆厂扩产将呈现**“先进制程抢占高端市场、成熟制程满足基础需求、区域政策驱动产能重构”**的特征。台积电、三星、英特尔等头部厂商通过大规模资本开支与技术迭代，巩固市场地位；中芯国际、长江存储等中国大陆厂商通过自主可控与政策支持，逐步补齐先进制程短板。未来，晶圆厂的竞争将从“产能规模”转向“技术壁垒+供应链整合能力”，而区域政策与下游需求（如AI、汽车、工业）将成为产能布局的核心驱动因素。

对于投资者而言，**先进制程产能（如3nm、5nm）与特色工艺产能（如汽车级、工业级成熟制程）**将是晶圆厂业绩增长的核心引擎，建议关注台积电（TSMC）、三星（SSNLF）、中芯国际（00981.HK）等头部厂商的扩产进度与市场份额变化。