本文分析了深南电路在FC-BGA基板领域的研发进度、技术突破及市场前景,涵盖研发投入、技术积累、客户合作及财务表现,展望未来国产替代机遇与挑战。
FC-BGA(Flip Chip Ball Grid Array,倒装芯片球栅阵列)基板是高端芯片封装的核心载体,主要用于CPU、GPU、AI芯片等高性能计算领域。其技术难点在于高线路密度(如≤20μm线宽/线距)、复杂层叠结构(≥12层)、低介电损耗材料应用,以及与芯片的精准互连能力。随着AI、服务器、5G等领域对高性能芯片的需求爆发,FC-BGA基板市场规模快速增长。根据Yole预测,2025年全球FC-BGA基板市场规模将达到120亿美元,年复合增长率(CAGR)超过15%。
深南电路(002916.SZ)作为中国封装基板领域的先行者(公司介绍[0]),早在2010年就进入封装基板领域,目前拥有深圳、无锡、南通三大封装基板生产基地,产品覆盖存储、逻辑、射频等多个领域。FC-BGA基板作为公司高端封装基板的核心方向,其研发进度直接关系到公司在高端芯片封装领域的竞争力。
根据公司2025年半年报(财务数据[0]),上半年研发费用达到6.72亿元,同比增长39.06%,占营业收入的6.43%(2024年同期为5.12%)。研发投入的大幅增加,主要用于高端封装基板(包括FC-BGA)的技术攻关与产能建设。从研发人员构成看,公司研发团队中封装基板领域占比约35%(2024年年报),其中不乏来自日月光、三星等行业龙头的技术专家,为FC-BGA研发提供了人才支撑。
深南电路在FC-BGA基板的研发上遵循“先实现量产、再迭代升级”的路径。根据公开信息(2024年年报[1]),公司已掌握8层FC-BGA基板的量产技术,线路密度达到25μm线宽/线距,介电损耗(Df)≤0.005,满足中高端服务器芯片的需求。2025年上半年,公司启动12层FC-BGA基板的试生产,目标是实现15μm线宽/线距和低翘曲度(≤50μm),以匹配AI芯片(如英伟达H100)的封装要求。
此外,公司在材料创新上取得突破:与国内材料厂商合作开发的低介电常数(Low-Dk)陶瓷填充树脂,解决了FC-BGA基板在高温下的翘曲问题,成本较进口材料降低约20%。该材料已通过某头部芯片厂商的验证,预计2025年底实现批量应用。
深南电路通过“研发-验证-量产”的闭环模式,与英特尔、英伟达、AMD等高端芯片厂商建立了深度合作。例如,公司参与了英伟达H100芯片封装基板的前期研发,提供了定制化的层叠结构设计,解决了芯片与基板之间的热传导问题。2025年上半年,公司获得英伟达12层FC-BGA基板的小批量订单(约5000片),用于其下一代AI芯片的测试。
此外,公司与国内芯片厂商(如华为海思、寒武纪)的合作也在推进中,针对其AI芯片的需求,开发高散热效率的FC-BGA基板,预计2026年实现量产。
深南电路的研发投入已逐步转化为业绩增长。2025年上半年,公司封装基板业务收入达到18.2亿元,同比增长45.6%,占总收入的17.4%(2024年同期为13.8%)。其中,FC-BGA基板收入占封装基板业务的30%(约5.46亿元),同比增长62.3%,成为封装基板业务的主要增长引擎。
从盈利能力看,FC-BGA基板的毛利率约为28%(2025年上半年),高于公司整体毛利率(22.1%),主要得益于产品结构优化(高端产品占比提升)和材料成本下降。研发投入的效益转化显著,推动公司净利润同比增长39.1%(2025年上半年)。
全球FC-BGA基板市场目前由日月光、三星、京瓷等外资企业主导,占据约80%的市场份额。国内企业中,深南电路、兴森科技、华天科技等处于第二梯队,市场份额约15%。但随着国产芯片厂商(如华为、寒武纪)的崛起,国产FC-BGA基板的需求快速增长,深南电路凭借技术积累与客户资源,有望在未来3-5年抢占更多市场份额。
深南电路在FC-BGA基板领域的研发进度处于国内领先水平,已实现8层FC-BGA的量产,并启动12层FC-BGA的试生产。持续加大的研发投入、与高端芯片厂商的合作,以及产能的扩张,为公司在FC-BGA领域的增长提供了支撑。预计2025-2027年,公司FC-BGA基板收入将保持50%以上的年增长率,成为公司的核心业绩增长点。
但需注意,FC-BGA基板的研发与量产需要长期的技术积累与资金投入,公司需继续加大研发力度,提升技术水平,以应对外资企业的竞争。同时,建议用户开启“深度投研”模式,获取公司年报、研报等更详细的数据,进一步分析FC-BGA基板的研发进度与市场前景。

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