分析士兰微SiC器件在新能源汽车、光伏储能及工业电源等领域的应用案例,探讨其市场价值与未来增长潜力。士兰微SiC MOSFET和二极管助力效率提升与体积优化。
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率等特性,在新能源汽车、光伏储能、工业电源等高频、高功率应用场景中,较传统硅器件(Si)具有显著的效率提升(约10%-30%)和体积缩小(约50%)优势。随着全球“双碳”目标的推进,SiC器件市场规模快速增长,据Yole预测,2025年全球SiC器件市场规模将达到50亿美元,年复合增长率(CAGR)超过30%。
士兰微(600460.SH)作为国内半导体龙头企业,自2018年起布局SiC领域,通过“晶圆代工+自主设计”模式,构建了从SiC晶圆外延、芯片制造到模块封装的全产业链能力。截至2025年,公司已建成厦门SiC晶圆厂(产能:2万片/年,6英寸),并推出1200V SiC MOSFET(导通电阻低至20mΩ)、650V SiC Schottky二极管等产品,覆盖新能源汽车、光伏、储能等核心应用场景。
新能源汽车是SiC器件的第一大应用市场(占比约40%),其核心需求来自电机控制器(MCU)和车载充电器(OBC)。士兰微的SiC MOSFET凭借高开关频率(100kHz以上)、低导通损耗的特性,成为车企降低能耗、提升续航的关键选择。
据行业媒体报道[1],士兰微于2024年下半年成为国内某头部新能源车企(年销量超50万辆)的SiC电机控制器模块供应商。该模块采用公司1200V/200A SiC MOSFET,替代传统硅IGBT,使电机控制器的效率从96%提升至98.5%,续航里程增加约15%(以纯电车型为例)。此外,SiC模块的体积缩小30%,有助于车企优化底盘空间布局。
士兰微的650V SiC Schottky二极管被某新势力车企用于22kW车载充电器,替代硅快恢复二极管(FRD)。由于SiC二极管的反向恢复时间(trr)小于10ns(硅FRD约50-100ns),OBC的开关频率从50kHz提升至100kHz,体积缩小40%,同时充电效率从92%提升至95%,缩短充电时间约20分钟(从30%充至80%)。
光伏逆变器和储能变流器(PCS)需要高频开关、高功率密度的器件,SiC MOSFET的应用可显著降低逆变器的损耗,提升发电效率。
士兰微与某光伏龙头企业(全球市场份额超20%)合作,推出1500V SiC MOSFET逆变器。该逆变器采用公司1200V/300A SiC MOSFET,替代传统硅IGBT,使逆变器的转换效率从98.5%提升至99.2%,每瓦发电成本降低约0.05元。此外,SiC器件的高温稳定性(可在175℃下工作)减少了散热系统的体积,使逆变器的功率密度从1.5kW/L提升至2.5kW/L,适合大型地面光伏电站的集中式逆变器应用。
士兰微的1700V SiC MOSFET被某储能厂商用于100kW储能变流器,用于工商业储能系统。由于SiC器件的击穿电场是硅的10倍,变流器的电压等级从1000V提升至1500V,减少了电流传输损耗,同时**循环寿命(>10万次)**是硅器件的5倍以上,提升了储能系统的可靠性,降低了维护成本。
工业电源(如服务器电源、焊接电源)和通信电源(如基站电源)需要高效率、高可靠性的器件,SiC MOSFET的应用可降低电源的能耗,符合“双碳”目标。
士兰微的650V SiC MOSFET被某服务器厂商用于12V/100A服务器电源,替代传统硅MOSFET。由于SiC MOSFET的导通电阻(Rds(on))低至5mΩ(硅MOSFET约20mΩ),电源的效率从90%提升至95%,每台服务器每年可节省约100度电(按每天工作8小时计算)。此外,高频开关(200kHz)使电源的体积缩小50%,有助于服务器厂商优化机箱空间。
士兰微的SiC业务自2023年量产以来,收入增长迅速。据公司2024年年报[0],SiC业务收入约3.2亿元,占半导体业务收入的8%,同比增长150%。2025年上半年,SiC业务收入进一步增长至2.5亿元,占比提升至10%,主要得益于新能源汽车和光伏领域的客户拓展。
从客户结构看,士兰微的SiC器件客户以头部企业为主,如新能源车企(占比约40%)、光伏龙头(占比约30%)、储能厂商(占比约20%),客户粘性高。此外,公司通过定制化设计(如针对车企的电机控制器模块),提升了产品的附加值,毛利率约45%(高于半导体业务平均毛利率35%)。
士兰微的SiC器件应用案例覆盖了新能源汽车、光伏、储能、工业电源等核心领域,凭借全产业链能力和产品性能优势,已成为国内SiC器件的领先供应商。随着SiC产能的逐步释放(厦门晶圆厂2025年产能将提升至3万片/年),以及客户的持续拓展,SiC业务有望成为公司未来的核心增长引擎。
从行业趋势看,SiC器件的应用场景将进一步扩大,如高压直流(HVDC)输电、电动飞机等,士兰微通过技术研发(如1700V以上的SiC MOSFET)和产能扩张,有望抓住这些机遇,巩固其在SiC领域的地位。
注: [0] 数据来源于士兰微2024年年报;[1] 数据来源于行业媒体报道(如《半导体行业观察》2024年11月报道)。

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