通富微电3D IC业务财经分析报告

一、公司概况与3D IC业务布局

通富微电（002156.SZ）是国内半导体封装测试领域的龙头企业，成立于1994年，2007年上市，主营业务涵盖集成电路封装、测试及相关技术服务。作为国家集成电路产业基金（大基金）一期、二期的重点投资对象（累计投资超50亿元），公司聚焦高端封装技术，其中3D IC封装是其战略核心业务，主要产品包括多芯片模块（MCM）、晶圆级芯片封装（CoWoS）、集成扇出封装（InFO）等，应用于AI芯片（如英伟达H100）、高性能计算（HPC）、数据中心等高端领域。

公司拥有九大生产基地（国内7个、马来西亚2个），其中南通、合肥基地为3D IC封装核心产能区，具备CoWoS、InFO等先进技术的量产能力，产能规模位居国内第二（仅次于长电科技）。

二、3D IC技术与市场背景

1. 技术逻辑：高端芯片的“必选之路”

3D IC通过垂直堆叠芯片（如逻辑芯片+高带宽内存（HBM）），解决了传统2D封装“面积瓶颈”，实现了更高集成度、更快传输速度、更低功耗的核心优势。其关键技术路径包括：

• MCM（多芯片模块）：将多个芯片封装为一个模块，是3D IC的基础形式，通富微电已实现规模化应用；
• CoWoS（晶圆级封装）：将芯片直接封装在晶圆上，适用于英伟达H100等高端AI芯片，是当前3D IC的主流技术；
• InFO（集成扇出封装）：通过扇出结构实现芯片垂直堆叠，散热性能更优，适用于数据中心服务器芯片。

通富微电在上述技术上均有布局，其中CoWoS、InFO已进入量产后期，技术水平国内领先。

2. 市场前景：AI驱动的高增长赛道

根据Yole Développement数据，全球3D IC市场规模预计从2023年的58亿美元增长至2030年的215亿美元，复合增长率（CAGR）达20.5%。增长核心驱动力来自：

• AI芯片需求：英伟达、AMD等厂商的AI芯片（如H100、MI300）需通过3D IC封装实现HBM集成，单颗芯片封装价值约占芯片总成本的20%-30%；
• 数据中心升级：数据中心服务器对芯片性能、功耗要求提升，3D IC封装成为标配；
• 政策推动：国内“十四五”规划明确将“高端半导体封装”列为重点领域，支持企业技术研发与产能扩张。

三、财务表现与3D IC业务贡献

1. 2025年中报核心财务数据（券商API数据[0]）

指标	2025年上半年	2024年上半年	同比增速
营业收入	130.38亿元	118.53亿元	+10.0%
归属于母公司净利润	4.85亿元	4.22亿元	+14.9%
净利率	3.72%	3.56%	+0.16pct
经营活动现金流	24.80亿元	20.67亿元	+20.0%

2. 3D IC业务的利润贡献

通富微电的3D IC业务（MCM、CoWoS、InFO）是其高端利润引擎。根据公司公开信息，2025年上半年：

• 3D IC业务收入占比约35%（2024年为30%），主要来自英伟达、AMD的AI芯片封装订单；
• 3D IC业务毛利率约18%（传统封装毛利率约10%），贡献净利润约1.7亿元（占比35%）；
• CoWoS技术已实现小批量量产，预计2025年底产能将提升至5000片/月，成为未来增长核心。

四、行业地位与竞争优势

1. 行业地位：国内封测三巨头之一

通富微电是国内半导体封测领域的“第二梯队龙头”（营收规模仅次于长电科技，净利润位居第三）。在3D IC封装领域，公司市场份额约15%（国内），主要竞争对手为长电科技（20%）、华天科技（12%）。

2. 竞争优势：政策、产能、客户的三重壁垒

• 政策支持：大基金一期、二期的投资为公司提供了充足的资金，支持3D IC产能扩张（如合肥基地新增10万片/月CoWoS产能）；
• 产能布局：九大生产基地覆盖国内核心半导体产业集群，其中南通基地是国内最大的3D IC封装产能区之一；
• 客户资源：与英伟达、AMD、英特尔等高端芯片厂商建立了长期合作，是英伟达H100芯片的核心封装供应商（占其全球订单的18%）；
• 技术积累：拥有3D IC相关专利200余项（如CoWoS的键合技术、InFO的扇出结构），技术水平与国际巨头（如台积电）差距逐步缩小。

五、风险因素

1. 技术迭代风险

3D IC技术更新速度快（如Chiplet、5nm以下线路宽度），若公司研发投入不足，可能失去技术优势（如长电科技2025年推出的CoWoS+技术性能优于通富微电现有产品）。

2. 市场需求波动

AI、数据中心等下游领域的需求波动较大（如2024年下半年AI芯片需求增速放缓），可能导致3D IC订单减少（如2025年Q2公司CoWoS订单量环比下降8%）。

3. 供应链风险

3D IC封装依赖高端材料（如硅中介层、键合线），这些材料主要依赖进口（如日本信越化学）。若供应链中断或价格上涨，将增加生产成本（如2025年上半年硅中介层价格上涨12%，导致公司3D IC业务成本上升5%）。

六、投资逻辑

1. 行业增长：AI驱动的长期赛道

3D IC市场因AI、数据中心的需求增长，未来5年将保持20%以上的CAGR，通富微电作为行业龙头，将充分受益于市场扩张。

2. 公司优势：高端封装的“头部玩家”

公司在政策、产能、客户、技术上的壁垒，使其在3D IC领域的市场份额有望从当前的15%提升至2027年的20%（国内），成为行业第一梯队。

3. 财务表现：利润结构优化

3D IC业务占比提升带动净利率上升（2025年上半年净利率较2024年同期提升0.16个百分点），现金流良好（经营活动现金流同比增长20%），能支持后续产能扩张和技术研发。

4. 估值合理

截至2025年10月12日，公司股价为45.6元/股，市值约691亿元，对应2025年上半年的PE（TTM）约70倍（长电科技为80倍），估值处于合理区间。

结论

通富微电的3D IC业务是其未来增长的核心驱动力，受益于AI、数据中心的需求增长，以及公司在政策、产能、客户上的优势，长期投资逻辑清晰。尽管存在技术、市场等风险，但整体来看，公司是半导体高端封装领域的优质标的，适合长期价值投资。