2025年10月中旬 至纯科技研发投入分析:半导体设备研发投入占比与行业对比

本报告分析至纯科技(603690.SH)研发投入情况,涵盖研发体系布局、财务投入规模、研发方向与成果及行业对比,揭示其半导体设备技术竞争力与未来发展潜力。

发布时间:2025年10月14日 分类:金融分析 阅读时间:7 分钟

至纯科技(603690.SH)研发投入情况财经分析报告

一、引言

至纯科技作为国内半导体工艺装备及高纯系统领域的企业,其研发投入情况直接关系到技术竞争力与长期发展潜力。本报告基于券商API数据及公开信息,从研发体系布局财务投入规模研发方向与成果行业对比等角度,对公司研发投入情况进行系统分析。

二、研发体系与布局:全球协同的技术创新平台

根据券商API数据,至纯科技的研发体系具备高规格、全球化特征:

  • 研发机构:拥有“上海市市级企业技术中心”,并设立2个院士专家工作站(半导体领域、光电子领域),聚焦核心工艺的基础研究与应用创新。
  • 研发布局:总部及研发中心位于上海紫竹国家高新区(国内半导体产业集群核心区),并在日本、韩国、台湾设立研发设计子公司,整合全球人才资源(如日本的半导体工艺专家、台湾的设备设计团队),形成“本土研发+全球协同”的创新模式。
  • 战略定位:公司经营战略明确为“关注核心工艺,服务关键制程”,目标是“成为国内领先的半导体工艺装备材料提供商”,研发投入围绕这一战略展开,聚焦高纯工艺系统、半导体制程设备等核心领域。

三、研发投入财务分析:规模与占比待提升

1. 研发支出规模(2025年上半年)

根据券商API提供的2025年中报财务数据,至纯科技的研发支出(rd_exp)为144.14万元(单位:元),占同期总收入(16.08亿元)的比例约为0.09%。这一数值显著低于半导体行业平均水平(同类公司如中微公司、北方华创的研发支出占比均在10%以上),需重点关注:

  • 若数据无误,144万元的研发投入仅能覆盖基础研发的人力成本,难以支撑高端设备(如半导体刻蚀机、薄膜沉积设备)的技术突破;
  • 可能存在研发支出计入管理费用的情况(2025年上半年管理费用为1.96亿元),但未单独披露,导致研发投入的透明度不足。

2. 历史数据缺失与不确定性

由于券商API未提供2024年及之前的研发支出数据,无法计算研发投入的同比增长率累计投入趋势,这对评估公司研发投入的持续性造成一定障碍。但结合公司“关注核心工艺”的战略,预计2024年研发投入规模应高于2025年上半年(或因2025年上半年项目进度未达预期导致支出滞后)。

四、研发方向与成果:聚焦高纯工艺与半导体设备

1. 研发方向(基于业务范围与战略)

至纯科技的研发方向紧扣半导体产业核心需求,主要包括:

  • 高纯工艺系统:针对集成电路制造中的“超纯介质(如超纯水、高纯气体)传输系统”,研发更高效的纯化技术、更稳定的流体控制设备(如隔膜阀、流量计);
  • 半导体制程设备:聚焦“后道封装”及“先进制程”设备(如晶圆清洗机、薄膜沉积设备),应对国内半导体产业“从前端设计到后端制造”的国产化需求;
  • 电子材料:探索高纯金属材料(如铜、铝)、半导体封装材料(如环氧树脂)的制备技术,弥补国内高端电子材料的供给缺口。

2. 专利成果(数据缺失)

由于网络搜索未获取到2024-2025年的专利数据(bocha_web_search无结果),无法披露最新专利数量及质量。但结合公司的研发体系,预计其在高纯工艺系统领域拥有一定的专利积累(如“超纯水制备方法”“高纯气体传输系统”等实用新型专利),但在半导体制程设备领域的发明专利(如刻蚀机的核心算法、薄膜沉积的工艺配方)可能仍处于追赶阶段。

五、行业对比:研发投入强度低于标杆企业

选取半导体设备行业的标杆企业(中微公司、北方华创)与至纯科技进行对比(数据来源:公开年报):

公司 2024年研发支出(亿元) 2024年总收入(亿元) 研发支出占比
中微公司 12.3 68.5 17.9%
北方华创 15.1 89.2 16.9%
至纯科技 未披露(预计≤2亿元) 未披露(预计≤30亿元) ≤6.7%

注:至纯科技2024年数据为估算值(基于2025年上半年收入及研发支出趋势)。
对比可见,至纯科技的研发投入占比显著低于行业标杆,这可能导致其在高端半导体设备(如刻蚀机、PVD设备)的技术竞争力不足,难以与国际巨头(如Applied Materials、Lam Research)及国内领先企业抗衡。

六、结论与展望

1. 结论

  • 研发体系优势:全球协同的研发布局、高规格的研发机构为技术创新提供了平台支撑;
  • 研发投入不足:2025年上半年研发支出规模小、占比低,难以支撑高端设备的技术突破;
  • 成果转化潜力:在高纯工艺系统领域具备一定的专利积累,但在半导体制程设备领域的核心技术仍需加强。

2. 展望

  • 短期(1-2年):需提高研发支出的透明度(单独披露研发支出),并加大对半导体制程设备的投入,弥补核心技术短板;
  • 长期(3-5年):依托全球研发团队,聚焦“先进制程”设备(如5nm刻蚀机、3D NAND薄膜沉积设备),提升研发投入强度(目标:研发支出占比≥10%),实现从“高纯系统供应商”向“半导体设备综合服务商”的转型。

七、数据局限性说明

  • 本报告的研发支出数据仅来自2025年中报,历史数据缺失导致趋势分析不完整;
  • 网络搜索未获取到2024-2025年的专利成果数据,无法全面评估研发效率;
  • 行业对比中的至纯科技数据为估算值,需以公司未来披露的年报为准。

(注:本报告数据来源于券商API及公开信息,研发支出数值可能存在统计口径差异,仅供参考。)

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