国产半导体设备突破点分析：刻蚀机、光刻机等关键领域进展

半导体设备是半导体产业的“母机”，其自主可控程度直接决定了我国半导体产业的核心竞争力。近年来，以

关键设备类型、技术工艺、市场渗透、政策与研发四大维度，系统分析国产半导体设备的突破点及未来趋势。

国产半导体设备的突破首先体现在

，尤其是在半导体制造的关键环节（如刻蚀、薄膜沉积、清洗、光刻机）实现了重大突破：

刻蚀机是半导体制造中“精度要求最高”的设备之一，其性能直接影响芯片的集成度和良率。中微公司作为国内刻蚀机的龙头企业，已实现

的量产，并成功进入的先进制程供应链（如台积电5nm工艺生产线）。据行业研报显示，2024年中微公司刻蚀机的全球市场份额约为，其中3D NAND刻蚀机的市场份额超过，打破了应用材料（Applied Materials）、拉姆研究（Lam Research）的垄断。

薄膜沉积设备（包括CVD、PVD、ALD）是半导体制造中“形成薄膜层”的关键设备，其均匀性和台阶覆盖率直接影响芯片的性能。北方华创作为国内薄膜沉积设备的领军企业，其

已实现批量应用，满足等国内龙头企业的需求。2024年，北方华创薄膜沉积设备的国内市场份额约为，其中PVD设备的市场份额超过。

清洗设备是半导体制造中“使用频率最高”的设备之一，其性能直接影响芯片的良率（约占芯片总良率的30%）。盛美半导体的

（如兆声波清洗、等离子体清洗）在先进制程（如14nm、7nm）中占比提升，已进入的供应链。2024年，盛美半导体清洗设备的全球市场份额约为，其中单片清洗设备的市场份额超过。

光刻机是半导体制造中“技术难度最高”的设备，其研发需要整合光学、机械、电子等多学科的顶尖技术。上海微电子作为国内光刻机的龙头企业，其

已实现量产，填补了国内高端光刻机的空白，为后续的研发奠定了基础。尽管与荷兰ASML的EUV光刻机（可实现7nm及以下制程）仍有差距，但28nm光刻机的量产已满足国内（如5G基站、汽车电子）的需求。

国产半导体设备的突破不仅体现在“设备类型”的覆盖，更体现在

的提升，尤其是在（如14nm、7nm）和（如刻蚀精度、薄膜均匀性）上达到国际先进水平：

国产设备的制程能力已从

（中低端芯片）提升至（高端芯片），部分设备甚至进入（先进制程）供应链。例如，中微公司的，其刻蚀精度达到（相当于头发丝直径的1/10万），满足7nm制程中“高 aspect ratio 结构”（如FinFET、GAAFET）的刻蚀需求；北方华创的，其薄膜均匀性达到**±1%**（国际先进水平），支持中芯国际14nm芯片的量产。

国产半导体设备的另一个突破是

，提高了材料的利用率和产品良率。例如，盛美半导体的，针对国内硅片（如沪硅产业的12英寸硅片）的表面缺陷（如颗粒、金属杂质），优化了清洗工艺（如兆声波频率、化学试剂浓度），使硅片的表面颗粒数降低至**<10个/片**（国际先进水平）；上海微电子的，针对国内光刻胶（如北京科华的ArF光刻胶）的感光特性（如灵敏度、分辨率），优化了光源参数（如波长、功率），使光刻胶的分辨率达到（满足设计要求）。

国产半导体设备的突破还体现在

，尤其是在实现了对进口设备的替代，并逐步进入的供应链：

据

35%，较2020年（约15%）实现了翻倍增长；2025年上半年，国产半导体设备市场份额进一步提升至。其中，的市场份额超过（如中微公司刻蚀机国内市场份额约为50%），的市场份额超过（如北方华创薄膜沉积设备国内市场份额约为35%），的市场份额约为（如上海微电子28nm光刻机国内市场份额约为25%）。

国产半导体设备的另一个重要突破是

，实现了从“国内替代”到“国际扩张”的跨越。例如，中微公司的已进入的5nm工艺生产线（如台积电南京工厂），并获得了的订单（用于3D NAND芯片的生产）；盛美半导体的已进入的供应链（如台积电台湾工厂、英特尔爱尔兰工厂）；北方华创的已进入的供应链（用于逻辑芯片的生产）。

国产半导体设备的突破离不开

，更离不开：

国家层面的

（如《“十四五”集成电路产业发展规划》）和（如国家集成电路产业投资基金（大基金）），是国产半导体设备突破的重要动力。例如，大基金一期（2014年）投资了中微公司、北方华创、上海微电子等企业，累计投资金额超过；大基金二期（2020年）继续加大对半导体设备的投资，重点支持**先进制程设备（如7nm光刻机、5nm刻蚀机）**的研发。此外，（如研发费用加计扣除、进口设备免税）、（如国家科技重大专项“02专项”）也为国产半导体设备企业提供了有力支持。

国产半导体设备企业的

是其突破的核心动力。据数据显示，2024年中微公司研发费用为，占比（行业平均约为10%）；北方华创研发费用为，占比；盛美半导体研发费用为，占比。持续的研发投入带来了：中微公司拥有专利超过，其中发明专利占比（主要涉及刻蚀机的核心技术，如等离子体源、刻蚀工艺）；北方华创拥有专利超过，其中发明专利占比（主要涉及薄膜沉积设备的核心技术，如CVD反应腔、PVD靶材）；上海微电子拥有专利超过，其中发明专利占比（主要涉及光刻机的核心技术，如光源、物镜）。

国产半导体设备领域的“攻坚者”已在

等方面取得了显著突破，推动国产半导体设备市场份额持续提升，为我国半导体产业升级提供了重要支撑。未来，国产半导体设备的突破方向将集中在**先进制程设备（如7nm光刻机、5nm刻蚀机）、智能化设备（如AI驱动的设备状态监测、工艺优化）、绿色化设备（如低功耗、低排放）**等领域。

尽管国产半导体设备仍面临

政策支持的持续加大、企业研发投入的增加、人才团队的壮大，国产半导体设备有望在未来5-10年实现，成为全球半导体设备市场的“领跑者”。

（注：本报告数据来源于

等公开资料。）