铜在芯片封装环节的应用技术难点分析报告
一、引言
铜（Cu）因具备
低电阻率（1.67μΩ·cm，约为铝的60%）、高导热系数（401W/m·K）、良好的机械强度
等特性，已成为芯片封装中
互连层、凸点（Bump）、硅通孔（TSV）等核心结构的首选材料。随着芯片集成度提升（如7nm及以下制程）、封装形式向
2.5D/3D IC演进，铜的应用场景愈发复杂，其工艺难度也随之凸显。本文从
材料特性、工艺兼容性、可靠性、成本
等维度，系统分析铜在芯片封装中的技术难点。
二、高密互连的铜沉积与图案化难点
芯片封装的核心需求是实现
高密度、低延迟
的互连，而铜的沉积与图案化是关键环节。当前主流的铜互连工艺为
大马士革（Damascene）工艺
（先刻蚀 dielectric 层形成沟槽/通孔，再填充铜并抛光），其难点主要体现在以下方面：
1. 深孔/沟槽的铜填充均匀性
随着互连密度提升，沟槽线宽已从微米级降至
亚微米级（如14nm制程的沟槽线宽约20nm）
，通孔深宽比（Aspect Ratio）可高达
10:1以上
（如3D IC的TSV）。传统电镀铜工艺易因
电流分布不均
导致“顶部优先填充”，形成
空洞（Voids）或
缝隙（Seams），影响互连的电性能（如电阻升高）和可靠性（如 electromigration 加剧）。
为解决这一问题，行业采用
脉冲电镀（Pulse Plating）或
添加剂优化（如加入加速剂、抑制剂、整平剂），通过调节电流密度分布，实现“底部向上”的填充。但添加剂的浓度、温度、pH值等参数需严格控制，增加了工艺复杂度。
2. 铜种子层的制备
电镀铜前需沉积
种子层（Seed Layer）
（如铜或铜合金），以提供导电基底并促进铜的均匀生长。种子层的厚度需控制在
10-50nm
（过厚会增加电阻，过薄易出现 pinholes），且需覆盖沟槽/通孔的侧壁与底部。传统物理气相沉积（PVD）的种子层易因
阴影效应
导致侧壁覆盖不均，而原子层沉积（ALD）虽能实现 conformal 沉积，但速率慢（约0.1nm/ cycle），难以满足大规模生产需求。
3. 铜的化学机械抛光（CMP）
Damascene 工艺的最后一步是 CMP，需将多余的铜抛光至 dielectric 层表面，形成平整的互连结构。CMP 的难点在于
控制抛光速率均匀性
：若抛光速率过快，易导致
碟形缺陷（Dishing）
（沟槽中心凹陷）；若速率过慢，则可能残留铜渣（Residues）。此外，铜与 dielectric 层（如 SiO₂）的
硬度差异
（铜的硬度约3GPa，SiO₂约7GPa）会加剧抛光不均匀性，需通过优化抛光液（如加入氧化剂、螯合剂）和压力参数缓解。
三、界面扩散与阻挡层设计难点
铜的
高扩散性
是其在封装中的致命缺陷：在高温（如封装测试的回流焊温度约260℃）下，铜原子会向相邻的 dielectric 层（如 SiO₂）或硅衬底扩散，形成
铜硅化物（Cu₃Si）
，导致 dielectric 层的绝缘性能下降（如漏电流增加），甚至引发
结漏电
（Junction Leakage）。因此，必须在铜与 dielectric 层之间插入
阻挡层（Barrier Layer）
，其难点在于：
1. 阻挡层的性能权衡
理想的阻挡层需满足
高阻挡性（阻止铜扩散）、低电阻率（不增加互连电阻）、良好的 adhesion（与 dielectric 层和铜结合）三大要求。当前常用的阻挡层材料为
钽（Ta）
或
氮化钛（TiN）：
- Ta 的阻挡性优异，但电阻率较高（约150μΩ·cm），且 PVD 沉积的 Ta 层易出现
柱状晶粒
，导致 pinholes；
- TiN 的电阻率较低（约20μΩ·cm），但阻挡性不如 Ta，且与铜的 adhesion 较差（易出现 delamination）。
为平衡性能，行业采用
复合阻挡层
（如 Ta/TaN 双层），但这增加了工艺步骤和成本。
2. 薄阻挡层的可靠性
随着互连密度提升，阻挡层厚度需从
50nm
降至
10nm以下
（如7nm制程），以减少对沟槽空间的占用。但薄阻挡层易因
晶粒边界（Grain Boundaries）增多导致铜扩散加剧，甚至出现
穿透性缺陷（Pinholes），使铜直接接触 dielectric 层，引发电击穿。
四、热应力与可靠性挑战
铜的
热膨胀系数（CTE）约为17ppm/℃，远高于硅（3.2ppm/℃）、陶瓷封装基板（约6ppm/℃）和 organic 基板（约14ppm/℃）。这种 CTE 不匹配会导致
热应力，在温度循环（如-40℃至125℃）中引发** solder joint 疲劳**（Fatigue）或
die 开裂
（Cracking），影响封装可靠性。
1. 热应力导致的互连失效
在 3D IC 等先进封装中，芯片与基板的 CTE 差异更大（如硅 die 的 CTE 为3.2ppm/℃，organic 基板为14ppm/℃），热应力会传递至铜互连层，导致
沟槽/通孔的铜层开裂
（如 via 底部的铜层因应力集中而断裂）。为缓解这一问题，行业采用
低 CTE 材料
（如陶瓷基板）或
柔性封装结构
（如 polyimide 缓冲层），但会增加成本或牺牲集成度。
2. Electromigration（EM）与 Thermal Migration（TM）
铜互连在**高电流密度（如10⁶ A/cm²）
和
高温（如125℃）**下，会发生原子迁移：
EM
：电子流冲击铜原子，导致原子向电流方向迁移，形成空洞
（开路）或** hillocks**（短路）；TM
：温度梯度导致铜原子从高温区向低温区迁移，加剧 EM 效应。
为抑制 EM/TM，需优化铜的
晶粒结构
（如采用
大晶粒铜
，减少晶粒边界的原子迁移路径）或添加
合金元素
（如少量 Ag、Au），但合金元素会增加铜的电阻率，需权衡性能与成本。
五、先进封装的铜工艺难点
随着
2.5D/3D IC
（如 Intel 的 EMIB、TSMC 的 InFO）的普及，铜的应用场景从平面互连扩展至
垂直互连
（如 TSV）和
芯片间互连
（如 microbumps），其工艺难度进一步提升：
1. TSV 的铜填充与平整化
TSV 是 3D IC 的核心结构，用于实现上下芯片的垂直互连，其深宽比可高达
20:1
（如5μm 直径、100μm 深度的 TSV）。传统电镀铜工艺易因
溶液传质限制
导致“V 型填充”，形成空洞。为解决这一问题，行业采用
底部注入式电镀（Bottom-Up Plating）或
电化学沉积（ECD），但需精确控制电镀液的流速和添加剂浓度，工艺窗口极窄。
此外，TSV 填充后的
平整化
（如 CMP）需去除顶部的铜凸起，确保与 microbumps 的接触良好，这要求 CMP 工艺具备
高选择性
（只抛光铜，不损伤 dielectric 层），难度极大。
2. Microbumps 的铜柱成型
3D IC 的芯片间互连采用
铜柱凸点（Cu Pillar Bumps）
（直径约10-50μm，高度约20-100μm），其成型难点在于
高度均匀性
（误差需小于5%）。若凸点高度不一致，会导致** solder 润湿不均**（如部分凸点未接触 solder），影响封装良率。
当前铜柱凸点的成型工艺为
电镀铜+光刻
（先光刻定义凸点图案，再电镀铜，最后去除光刻胶），其难点在于
光刻精度
（需匹配凸点直径的亚微米级要求）和
电镀均匀性
（需控制每个凸点的高度误差）。
六、成本与环保考量
1. 高纯度铜的制备成本
芯片封装用铜需达到
6N 级（99.9999%）以上的纯度，以减少杂质对 EM/TM 的影响。高纯度铜的制备需通过
电解精炼（如电解铜箔）或
真空蒸馏
，成本远高于普通工业铜（如 4N 级铜）。此外，铜原料价格波动（如 LME 铜价从2020年的4000美元/吨涨至2022年的10000美元/吨），进一步增加了封装成本。
2. 环保工艺要求
电镀铜过程中使用的
硫酸铜（CuSO₄）、硫酸（H₂SO₄）等化学药品，会产生大量
含铜废水（如每生产1㎡铜箔需排放约100L 废水）。若处理不当，会导致水体污染（如铜离子超标）。为满足环保要求，行业需采用
无氰电镀
（如柠檬酸体系）或
废水回收系统
（如离子交换法回收铜），但会增加工艺成本和复杂度。
七、结论与展望
铜在芯片封装中的应用难点，本质是
材料特性与工艺需求的矛盾
：既要利用铜的低电阻率和高导热性，又要解决其高扩散性、热应力及高密填充问题。未来，行业的发展方向可能包括：
无阻挡层铜互连
：采用ALD 铜种子层
或掺杂铜
（如 Cu-Ge），减少阻挡层的使用，降低电阻；先进电镀技术
：如原子层电镀（ALE-Plating）
，实现更均匀的铜填充，解决深孔/沟槽的空洞问题；铜合金应用
：如Cu-Sn、Cu-Ni
合金，优化 CTE 匹配，抑制 EM/TM；环保工艺
：如电沉积铜回收
（EDR），减少废水排放，降低环境成本。
尽管铜的应用难点仍待解决，但在可预见的未来，铜仍是芯片封装中
不可替代的互连材料
，其工艺进步将推动芯片集成度和性能的持续提升。