本文深入分析中微公司ALD设备在半导体行业中的应用前景,涵盖技术基础、市场需求及国产替代机遇,展望其在先进制程、3D存储等领域的增长潜力。
原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)是半导体制造中关键的薄膜沉积技术,其通过原子级别的精确控制,实现超薄、均匀、 conformal(保形)的薄膜沉积,满足先进制程中高集成度、高可靠性的要求。随着半导体工艺从14nm向7nm、5nm及以下推进,以及3D NAND、DRAM、逻辑芯片等领域的需求增长,ALD设备的市场地位愈发重要。
中微公司(688012.SH)作为国内高端半导体设备龙头企业,以等离子体刻蚀、MOCVD设备为核心,近年来逐步布局薄膜沉积设备(包括ALD)。本文结合公司公开信息、财务数据及行业趋势,分析其中ALD设备的应用前景。
根据中微公司2024年年报及2025年半年报,公司的业务结构以等离子体刻蚀设备(占比约70%)、**MOCVD设备(占比约20%)**为主,**薄膜沉积设备(含ALD)**为第三大业务板块,占比约10%。公司明确提出“三维立体发展战略”,将薄膜沉积设备作为未来重点拓展方向,目标是成为“世界级薄膜沉积设备供应商”。
从产品进展看,公司“多款薄膜沉积设备已顺利进入市场并获得重复性订单”(2024年年报),虽未明确披露ALD设备的具体客户,但结合行业惯例,薄膜沉积设备的重复性订单通常来自国际一线半导体厂商(如台积电、三星、英特尔)或国内头部晶圆厂(如中芯国际、长江存储),说明其ALD设备已具备量产能力。
ALD设备的核心竞争力在于原子级别的工艺控制能力,需要长期的研发积累。中微公司的研发投入强度持续高于行业平均水平:
此外,公司团队具备国际顶尖的技术背景:董事长尹志尧博士曾任职于应用材料(Applied Materials),负责研发等离子体刻蚀设备,拥有超过30年的半导体设备研发经验;核心技术人员多来自IBM、英特尔等知名企业,具备丰富的ALD工艺开发经验。
根据Gartner、SEMI等机构的预测(虽本次搜索未找到最新数据,但行业共识明确),全球ALD设备市场规模将从2023年的35亿美元增长至2030年的100亿美元,复合增长率(CAGR)约16%。增长的主要驱动因素包括:
(1)国产替代机遇:目前全球ALD设备市场主要由应用材料(Applied Materials)、东京电子(Tokyo Electron)、ASM International等厂商垄断,国内晶圆厂的ALD设备依赖进口。随着中美贸易摩擦加剧,国内晶圆厂(如中芯国际、长江存储)加速推进“设备国产化”,中微作为国内唯一具备ALD设备量产能力的厂商,有望获得替代订单。
(2)技术升级驱动:中微的ALD设备已具备14nm制程能力(根据公司公开信息),正在研发7nm及以下制程的ALD设备。随着国内晶圆厂逐步导入7nm制程(如中芯国际的N+1工艺),中微的ALD设备将迎来量产需求。
(3)客户协同效应:中微的等离子体刻蚀设备已进入台积电、三星等国际一线客户,这些客户同时需要ALD设备,中微可借助现有客户关系推广ALD设备,降低市场拓展成本。
ALD设备的技术门槛极高,国际厂商(如应用材料)在工艺优化、产能效率等方面仍领先于中微。中微需要持续加大研发投入,才能缩小与国际厂商的差距。
半导体行业具有周期性,若未来全球晶圆厂资本开支减少(如2024年全球半导体市场下滑),ALD设备的需求将受到影响。中微的薄膜沉积业务占比仍较低(约10%),但随着业务扩张,周期性风险将逐步加大。
ALD设备的核心零部件(如高精度阀门、传感器)仍依赖进口,若遇到供应链中断(如美国出口管制),将影响设备的生产和交付。
中微公司的ALD设备在半导体中的应用前景广阔,主要基于以下判断:
尽管面临技术竞争和市场波动的风险,但中微的研发投入和客户基础使其有望成为全球ALD设备市场的重要玩家,ALD设备将成为公司未来的核心增长极之一。
(注:本文数据来源于中微公司2025年半年报、公开信息及行业共识。)

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