深度解析扬杰科技碳化硅业务进展,涵盖SiC SBD/JBS量产、MOSFET研发、产能扩张及行业竞争格局,揭示其在国内功率半导体领域的龙头地位与未来增长潜力。
碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,具有高击穿电压、高导热系数、高开关频率及低损耗等特性,是新能源汽车、光伏、储能等高端领域的核心器件。扬杰科技(300373.SZ)作为国内功率半导体龙头企业,早在2018年便启动碳化硅器件研发,目前已形成SiC SBD(肖特基二极管)、SiC JBS(结势垒肖特基二极管)等产品矩阵。本文结合公司公开信息、财务数据及行业趋势,从现有布局概述、财务表现与研发投入、行业竞争地位、进展推测与风险因素四大维度,对其碳化硅布局进展进行深度分析。
根据公司2024年年报及公开披露,扬杰科技的碳化硅业务已形成**“芯片设计-晶圆制造-器件封装”**全产业链布局,核心产品包括:
产能方面,公司现有碳化硅晶圆生产线(4英寸/6英寸)产能约5000片/月,主要位于扬州总部基地。2024年,公司宣布投资10亿元建设“碳化硅功率器件产业化项目”,计划将产能提升至2万片/月(6英寸),预计2025年底投产,届时将大幅提升碳化硅器件的供应能力。
尽管公司未单独披露碳化硅业务收入,但通过毛利率变化可推测其占比提升。2025年三季度,公司实现总收入53.48亿元,同比增长35.2%;营业利润11.32亿元,同比增长41.5%;毛利率21.15%,较2024年同期(16.8%)提升4.35个百分点。毛利率的显著提升,主要得益于碳化硅业务占比的增加(碳化硅器件毛利率约40%,远高于传统硅器件的20-30%)。
假设2025年三季度碳化硅业务收入占比为15%(约8.02亿元),则贡献的毛利约3.21亿元,占总毛利的28.4%,成为公司利润增长的核心驱动力之一。
公司对碳化硅的研发投入持续加大。2025年三季度,研发费用3.41亿元,占总收入的6.38%,较2024年同期(5.1%)提升1.28个百分点。研发投入主要用于:
扬杰科技在碳化硅领域的布局处于国内第一梯队,仅次于士兰微、华润微等企业,但进度快于多数同行:
与国际厂商(如英飞凌、意法半导体)相比,扬杰科技的差距主要在于SiC MOSFET的量产能力(国际厂商已实现1200V/400A SiC MOSFET的量产),但公司通过加大研发投入,预计2026年推出SiC MOSFET产品,缩小与国际厂商的差距。
扬杰科技在碳化硅领域的布局进展顺利,已形成“产品-产能-客户”的完整体系,成为公司利润增长的核心驱动力。未来,随着产能的扩张(2025年底至2万片/月)和产品的升级(2026年推出SiC MOSFET),公司的碳化硅业务将继续增长,巩固其国内龙头地位,并逐步追赶国际厂商。
尽管存在产能、客户认证等风险,但公司通过加大研发投入、优化供应链管理,有望克服这些挑战,实现碳化硅业务的持续增长。对于投资者而言,扬杰科技的碳化硅布局是其长期投资价值的重要支撑,值得关注。
(注:本文数据来源于公司公开年报、财务报表及行业研究报告,部分数据为推测值,仅供参考。)

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