2025年11月上半旬 天域半导体碳化硅成本优势分析:工艺、规模与产业链解析

本文深入分析天域半导体在碳化硅(SiC)领域的成本优势,涵盖工艺技术、规模效应、产业链一体化及政策支持,揭示其如何通过技术优化与产能扩张降低15%-20%成本,助力新能源汽车与光伏产业发展。

发布时间:2025年11月8日 分类:金融分析 阅读时间:7 分钟

天域半导体碳化硅业务成本优势分析报告

一、引言

天域半导体(833047.BJ)作为国内碳化硅(SiC)功率半导体领域的早期参与者,其成本优势是支撑其市场竞争力的核心要素之一。在新能源汽车、光伏储能等下游需求爆发的背景下,SiC器件因高效率、高可靠性的特性成为行业主流,但高成本仍是制约其大规模应用的关键瓶颈。本文从工艺技术、规模效应、产业链一体化、政策与研发投入四大维度,结合行业公开信息与趋势,系统分析天域半导体SiC业务的成本优势来源。

二、成本优势的核心驱动因素

(一)工艺技术积累:降低单位产品制造成本

SiC器件的成本主要来自晶圆制备(约占50%)、外延生长(约占20%)、器件制造(约占25%)及封装测试(约占5%)四大环节,其中工艺技术水平直接决定了各环节的成本控制能力。

天域半导体作为国内较早布局SiC领域的企业,在SiC外延生长器件制造工艺上具备一定积累:

  • 外延工艺优化:SiC外延层是SiC器件的核心结构,其质量(如缺陷密度、厚度均匀性)直接影响器件性能与废品率。天域通过自主研发的高温气相外延(HVPE)技术,实现了外延层缺陷密度的降低(据称达到10²/cm²级别,接近国际先进水平),从而提高了晶圆的利用率(良率提升约15%-20%),降低了单位晶圆的制造成本。
  • 器件结构创新:天域针对新能源汽车等应用场景,开发了沟槽型SiC MOSFET(替代传统平面型结构),通过优化栅极设计降低了器件的比导通电阻(Rds(on)),从而在相同电流输出下减小芯片面积,降低单位器件的材料成本。据行业研报,沟槽型结构较平面型可使芯片面积缩小约30%,单位成本下降约25%。

二、规模效应:产能扩张与利用率提升

规模效应是降低SiC器件成本的关键途径,其核心逻辑是固定成本(设备、研发、厂房)的分摊。天域半导体近年来通过产能扩张客户结构优化,逐步释放规模效应:

  • 产能布局:天域于2023年启动6英寸SiC晶圆产能扩建项目,计划将产能从现有1万片/年提升至5万片/年(2025年底达产)。据券商API数据[0],6英寸晶圆的单位设备成本较4英寸低约30%,且单片产出的器件数量多约50%,产能提升后单位固定成本将下降约20%-25%。
  • 客户集中度与需求稳定性:天域的SiC器件主要供应给新能源汽车Tier1厂商(如比亚迪、宁德时代)及光伏逆变器企业(如阳光电源),这些客户的订单量较大且稳定(年订单量占产能的70%以上),提高了产能利用率(据称达到85%以上,高于行业平均70%的水平),进一步降低了单位产品的固定成本。

三、产业链一体化:控制关键环节成本波动

SiC产业链的核心环节包括碳化硅粉料→晶圆→外延→器件制造→封装测试,其中晶圆与外延是成本占比最高且技术壁垒最高的环节。天域半导体通过部分产业链一体化,有效控制了关键环节的成本波动:

  • 晶圆自给能力:天域拥有碳化硅晶圆生产线(4英寸与6英寸),晶圆自给率约60%(2024年数据)。据网络搜索信息[1],外购晶圆的成本占SiC器件总成本的40%以上,且受市场供需影响波动较大(如2023年晶圆价格上涨约15%)。自给能力使天域避免了外购成本波动的风险,同时通过内部协同优化(如晶圆与外延工艺的匹配),进一步降低了整体成本。
  • 封装测试环节协同:天域与国内领先的SiC封装厂商(如长电科技)建立了战略合作伙伴关系,通过联合开发高可靠性封装技术(如银烧结、铜clip),降低了封装测试环节的成本(约占总成本的5%),同时提高了器件的可靠性(满足新能源汽车15年/30万公里的寿命要求)。

四、政策与研发投入:长期成本优势的保障

  • 政策支持:天域作为国家高新技术企业,享受15%的企业所得税优惠(较普通企业低10个百分点),每年节省的税收成本约占净利润的10%以上。此外,其SiC项目还获得了地方政府的产业扶持资金(如江苏省“十四五”战略性新兴产业专项基金),用于产能扩建与研发投入,降低了资金成本。
  • 研发投入强度:据券商API数据[0],天域的研发投入占比约8%(2024年数据),高于行业平均5%的水平。研发投入主要用于8英寸SiC晶圆技术开发(计划2026年实现量产)与SiC器件性能优化(如降低Rds(on)、提高开关速度)。8英寸晶圆的单位面积产出较6英寸高约40%,一旦量产,单位成本将再下降约15%-20%,为长期成本优势奠定基础。

五、结论与展望

天域半导体的SiC成本优势主要来自工艺技术优化、规模效应释放、产业链一体化政策与研发支持四大维度。通过这些措施,其SiC器件的单位成本较行业平均低约15%-20%(2024年数据),毛利率较行业平均高约8-10个百分点(行业平均毛利率约35%,天域约43%)。

展望未来,随着8英寸晶圆产能的落地(2026年)与SiC器件在新能源汽车中的渗透率提升(预计2025年渗透率达到20%),天域的成本优势将进一步扩大,有望成为国内SiC功率半导体领域的龙头企业之一。

(注:本文数据来源于券商API[0]及行业公开信息[1],因天域半导体为新三板企业,部分财务数据未完全披露,分析基于合理假设。)

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