长鑫科技2026年资本开支计划与资金来源分析

长鑫科技于2025年12月30日正式向上海证券交易所提交科创板上市申请，拟募集资金

，成为科创板创立以来募资规模第二大的IPO项目（仅次于中芯国际2020年的532.3亿元）[1][2][3]。此次IPO是科创板试点IPO预先审阅机制实行后的首单获受理项目，资金投向明确分为三个核心领域[1][2]：

投资项目	拟投入资金	占比	主要用途
存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目	75亿元	25.4%	提升存储器晶圆制造能力和技术水平
DRAM存储器技术升级项目	130亿元	44.1%	DRAM存储器技术升级和产品迭代
动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目	90亿元	30.5%	DRAM技术前瞻性研究，保持技术领先地位

从上述项目支出计划来看，

，充分体现了半导体行业资本密集型的特征[1]。

根据多方信息源显示，长鑫科技2026年产能扩张呈现"稳中求进"的态势[4][5]：

• 投片量规划
  ：公司总投片量预计由2025年四季度的
  280K
  仅小幅提升至2026年四季度的
  300K
  ，投片主要用于生产DDR5/LPDDR5，属于既有规划，并非近期新增扩产[4]
• 技术节点转向
  ：2026年
  超过90%的产能将转向G4制程
  （16nm工艺），公司并未在G4制程规划DDR4产品[4]
• 市占率目标
  ：Counterpoint预测，2026年长鑫存储在DRAM领域的市占率将快速提升，市场份额有望从2025年的8%进一步攀升[1]

高带宽内存（HBM）是AI时代的战略性产品，长鑫科技在该领域亦有明确规划[5][6]：

• HBM封装厂建设
  ：公司正在上海兴建HBM封装厂，目标于
  2026年底投产
  ，初期月产能约
  3万片晶圆
  ，约为SK海力士的五分之一[5]
• HBM量产时间表
  ：公司计划于
  2026年开始量产第四代HBM3芯片
  ，采用G4（16nm）制程[5][6]
• 技术差距评估
  ：据TechInsights分析，若长鑫存储能于2026年第四季度成功量产HBM3芯片，将落后SK海力士约四年[5]

为更好地理解2026年计划，有必要回顾公司近年资本开支情况[1][5]：

指标	数据
截至2025年6月30日机器设备账面价值	1591.51亿元（占固定资产总额90.52%）
机器设备账面原值	2030.00亿元
设备成新率	78.40%
2025年上半年长期资产现金支出	241.15亿元
2023-2024年资本支出（TechInsights估算）	约60-70亿美元

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此次IPO募资295亿元是长鑫科技2026年资本开支的

[1][2][3]。募集资金将主要用于：

1. 核心技术升级
   ：包括刻蚀、薄膜沉积等关键工艺改造
2. 产能效率提升
   ：存储器晶圆量产线升级
3. 下一代技术研发
   ：布局下一代存储架构与新型材料

长鑫科技在招股书中明确表示，

[3]。公司当前财务状况为后续融资提供了基础：

财务指标	数据（截至2025年上半年）
货币资金	429.22亿元
短期借款	21.97亿元
一年内到期非流动借款	95.37亿元
长期借款	1207.92亿元（较2022年的612.4亿元翻倍）
资产负债率	57.65%

过去十年间，长鑫科技进行了

，吸引了，形成了多元化的股权结构[3][7]：

• 国资背景
  ：大基金二期、安徽省投等
• 互联网科技巨头
  ：阿里云、腾讯、小米等
• 金融机构
  ：招银国际、人保资本等
• 核心股东
  ：清辉集电持股21.67%、长鑫集成等

截至IPO前最新一轮融资，长鑫科技投后估值已达

，成为创投圈追捧的超级独角兽[7]。

与海外存储巨头相比，长鑫科技的融资规模与行业资本密集属性高度匹配[3]：

公司	2026年资本支出计划
美光科技	从180亿美元 上调至200亿美元 [3]
SK海力士	2025年资本支出上调30%至203亿美元，大部分用于HBM生产[6]
三星	2024年资本开支达53.6万亿韩元，将超过20%的DRAM生产线转换为HBM生产线[6]
长鑫科技	IPO募资295亿元人民币（约40-45亿美元）

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1. 行业景气度高涨
   ：研究机构预计2026年DRAM市场规模将增长至
   2692亿美元
   ，增长率达69%[1]
2. 国产替代机遇
   ：工信部《存储芯片自主可控行动计划》已明确2026年国产市占率15%的目标[3]
3. 业绩反转确立
   ：公司2025年预计实现净利润20-35亿元，扣非归母净利润28-30亿元，彻底摘掉亏损标签[3][7]
4. 技术追赶加速
   ：公司已完成第一代至第四代工艺技术平台量产，DDR5内存速率已突破8000Mbps，19nm工艺良率超95%[3]

1. 技术代差仍然存在
   ：长鑫的制作工艺目前尚未进入到最先进的"阿尔法"节点级别，尤其是还无法生产HBM产品[7]
2. 产能扩张空间有限
   ：基于现有产能利用率，长鑫科技预留空间已不多，2025年上半年产能利用率达94.63%[7]
3. 价格周期波动风险
   ：DRAM行业具有强周期性，若2026年价格出现极端下滑可能影响盈利[3][7]
4. 国际巨头竞争加剧
   ：SK海力士、美光等明确2026年资本支出将高于去年水平，投资重心转向高端产品[7]

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长鑫科技2026年资本开支计划以

，辅以自有资金、银行借款及产业资本支持，形成多元化融资体系。资金主要投向存储器晶圆制造技术升级（75亿元）、DRAM技术升级（130亿元）和前瞻技术研发（90亿元）三大领域，同时加速HBM布局（目标2026年底投产）。

在AI浪潮推动存储芯片价格飙涨、行业供需持续紧张的背景下，长鑫科技有望借助资本市场力量进一步缩小与国际巨头的差距，实现国产DRAM的突围。但需关注技术代差、价格周期波动及国际竞争加剧等风险因素。

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[1] 证券市场周刊 - 《长鑫科技几百亿募资催化"半导体牛"，这些领域存机遇！》(https://static.weeklyonstock.com/26/0112/zbf174614.html)

[2] 电子工程专辑 - 《长鑫科技科创板IPO获受理，拟募资295亿》(https://www.eet-china.com/mp/a464627.html)

[3] 新浪财经 - 《募资295亿冲击科创板!长鑫科技超级周期下的国产存储破局者》(https://cj.sina.cn/articles/view/7451676903/1bc2790e7001019hfk)

[4] 新浪财经 - 《存储器产业》(https://finance.sina.com.cn/stock/stockzmt/2025-11-23/doc-infymcmt6470772.shtml)

[5] 鉅亨網 - 《中國DRAM戰略試金石！長鑫存儲傳明年赴上海掛牌估值高達420億美元》(https://news.cnyes.com/news/id/6199711)

[6] 长城证券 - 《深度剖析HBM千亿蓝海，AI算力激战下供需新格局》(http://www.cgws.com/cczq/ggdt/ccyj/202508/P020250828307261620941.pdf)

[7] 界面新闻 - 《巨亏370亿到盈利逆转：长鑫科技IPO透出的那些事》(https://www.jiemian.com/article/13874829.html)