存储芯片设备国产替代进度条

根据2026年1月最新数据，

，显著超越此前设定的30%年度目标，标志着国产替代进入加速通道[1][2]。

指标	2024年	2025年	变化幅度
整体设备国产化率	25%	35%	+10pct
刻蚀设备国产化率	20-30%	40-60%	+20pct
薄膜沉积设备国产化率	20-30%	30-50%	+10-20pct

设备类别	国产化率	代表企业	技术突破
去胶设备	80%-90%	屹唐半导体	已实现全系列国产替代，性能对标国际一流
清洗设备	70%	盛美上海、北方华创	成熟制程全面替代，先进制程达30%
热处理设备	30%-40%	北方华创、屹唐半导体	快速热处理(RTP)设备实现国产替代
刻蚀设备	40%-60%	中微公司、北方华创	介质刻蚀达5nm水平，被台积电、长江存储采用
薄膜沉积设备	30%-50%	北方华创、拓荆科技	PVD/CVD设备覆盖28nm及以上制程
CMP抛光设备	30%-40%	华海清科	8英寸设备成熟，12英寸设备进入产线验证
涂胶显影设备	10%-30%	芯源微	8英寸设备成熟，12英寸设备研发中
离子注入设备	10%-20%	中科信、万业企业	中低能设备实现突破，高能设备仍依赖进口
检测测量设备	10%-20%	上海睿励、中科飞测	部分检测设备进入产线
光刻设备	<1%	上海微电子	90nm光刻机量产，28nm浸没式进入最后攻关

制程节点	国产化率	现状评估
成熟制程(≥28nm)	>80%	基本实现自主可控
先进制程(14nm以下)	~10%	国产替代空间广阔

：国产化进程呈现显著的结构性分化特征——成熟制程覆盖已基本完成，但高价值量的刻蚀、薄膜沉积、光刻等核心设备在先进制程领域仍面临突破瓶颈[3][4]。

• 技术突破
  ：5nm刻蚀机成功进入台积电先进制程产线验证
• 存储领域
  ：3D NAND领域市占率达到35%，针对60:1超高深宽比工艺的Primo UD-RIE已大规模应用于先进存储产线
• 市场表现
  ：2025年前三季度营收同增37.5%，市值超2165亿元[1][5]

• 市场地位
  ：炉管设备在中芯国际28nm产线市场占有率超过60%
• 业务覆盖
  ：刻蚀、薄膜沉积、清洗设备全布局，订单排期已至2027年一季度
• 财务表现
  ：2025年新增订单25-30亿元，最新市值3670多亿元[1][2]

• 核心产品
  ：PECVD设备在长江存储3D NAND产线占比从15%提升至
  30%
  ，装机量达200台
• 技术进展
  ：14nm逻辑芯片设备实现量产，ALD设备进入市场
• 资本支持
  ：2025年9月大基金三期旗下"国投吉信"向其子公司注资4.5亿元[1][6]

• 市场地位
  ：国内唯一能量产12英寸CMP设备企业，市占率
  超80%
• 技术能力
  ：兼容5nm制程，长江存储、长鑫存储核心供应商
• 财务表现
  ：毛利率超45%，远超行业平均水平[5]

• 订单突破
  ：2025年12月成功中标1.1亿元光刻机采购项目(SSC800/10型步进扫描式光刻机)
• 技术进度
  ：90nm光刻机量产，28nm浸没式光刻机进入中芯国际等头部代工厂内部测试阶段
• 战略意义
  ：28nm是芯片制造的"黄金节点"，一旦突破将实现绝大多数领域的自主可控[7][8]

芯片类型	国产化率	代表企业	技术水平
NAND Flash	35%	长江存储	Xtacking 4.0架构，267层3D NAND量产
DRAM	35%	长鑫存储	DDR5(最高8000Mbps)、LPDDR5X(最高10667Mbps)
成熟制程存储芯片	45%	长鑫、长江	工信部2026年目标55%

企业	重点项目	投资规模	进展状态
长鑫存储	IPO+三期项目	估值1400-1600亿元	2025年7月启动IPO辅导
长江存储	三期项目	注册资本207.2亿元	2025年9月主体成立
产能规划	2025年月产能	30万片(长鑫)	同比劲增近50%

• 核心要求
  ：芯片制造商在新增产能时至少使用50%国产设备
• 执行力度
  ：成熟制程严格执行，先进制程根据供应限制酌情调整
• 政策效果
  ：直接利好本土设备企业，加速国产设备验证与迭代[4]

• 资金规模
  ：超3000亿元，重点支持国产设备研发
• 最新动作
  ：2026年1月宣布向半导体设备领域注资20亿元，重点支持刻蚀机、光刻机核心零部件研发[1][2]

• 采购补贴
  ：工信部发布《半导体设备产业发展指引》，对国产设备采购给予最高15%补贴
• 上海举措
  ：加强算力基础设施布局，鼓励关键技术攻关，对取得重大资质的企业给予高额奖励[8]

目标领域	具体指标	预期时间
成熟制程国产化率	>90%	2026年
28nm光刻机	量产突破	2026-2027年
14nm设备国产化率	>30%	2027年
存储芯片国产化率	50%	2027年

1. 光刻机瓶颈
   ：国产化率不足1%，28nm突破仍需时日
2. 先进制程渗透
   ：14nm以下领域渗透率仅约10%
3. 专利壁垒
   ：国际巨头构筑的严密技术专利墙
4. 资本密集
   ：投资回报周期长，资本成本高于国际同行

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[1] 新浪财经 - “AI驱动2025全球半导体市场创历史新高” (https://finance.sina.com.cn/jjxw/2026-01-07/doc-inhfmycz2355486.shtml)

[2] 青岛财经日报 - “国产半导体设备替代率提升35%” (https://finance.sina.com.cn/roll/2026-01-07/doc-inhfnqzm6177401.shtml)

[3] 国金证券 - “存储扩产与自主可控共振，国产替代空间广阔” (https://pic-test-gjmetal-1324067834.cos.ap-shanghai.myqcloud.com/newsv2/c873e2fd094646bba0d9bf9e9293c01b20251219184034.pdf)

[4] 三三半导体 - “中国半导体供应链自主化进展总览(2025年12月)” (https://www.xinsanbanbao.com/20251231/news/n98415.html)

[5] 网易财经 - “国产替代+AI驱动！半导体设备爆发” (https://www.163.com/dy/article/KIRGA6M00556299F.html)

[6] 东方财富 - “佰维存储雅克科技基本面亮点” (https://caifuhao.eastmoney.com/news/20260115061316406837320)

[7] 国际电子商情 - “上海微电子拿下1.1亿光刻机大单” (https://www.esmchina.com/news/13789.html)

[8] EET-China - “超预期提速！大陆半导体设备国产化率突破35%” (https://www.eet-china.com/mp/a467209.html)

[9] 虎嗅APP - “内存条涨疯了，国产替代如何破局？” (https://www.huxiu.com/article/4823808.html)