HBM高带宽存储芯片技术竞争格局深度分析报告

基于以上深入调研和数据分析,现在为您呈现

。

---

高带宽存储器(High Bandwidth Memory,HBM)是新一代高性能内存技术,通过

先进封装技术集成。相比传统平面DRAM,HBM具备以下核心优势:

技术指标	HBM3E	传统GDDR6
接口位宽	1024-bit	384-bit
带宽	1.0 TB/s	~0.5 TB/s
功耗效率	高40%	基准
封装尺寸	减少50%	基准

HBM技术已成为

的核心瓶颈,其性能直接决定AI芯片的数据处理能力。随着大模型向多模态、思维链(CoT)机制演进,数据吞吐量呈指数级增长,HBM的战略价值愈发凸显。[1][2]

根据技术演进规划,HBM正经历快速迭代:

• HBM3E (2024-2026)
  : 当前主流产品,带宽1TB/s,12层堆叠,预计2026年仍占HBM市场约2/3份额
• HBM4 (2026)
  : 带宽提升至2TB/s,接口宽度扩展至2048-bit,12-16层堆叠
• HBM4E (2027-2028)
  : 进一步优化,预计用于NVIDIA Rubin Ultra平台
• HBM5 (2028+)
  : 带宽达3.2TB/s,20层堆叠,需采用混合键合技术

---

根据Counterpoint Research数据,2025年第三季度全球HBM市场份额呈现以下格局:

厂商	Q2 2025份额	Q3 2025份额	变化趋势
SK海力士	57%	53%	↓ 轻微下滑
三星电子	22%	35%	↑ 大幅提升
美光科技	21%	11%	↓ 份额下滑

关键发现

: SK海力士虽保持领先地位,但份额从57%降至53%,主要因三星在HBM3E领域实现突破性增长。三星份额从22%跃升至35%,反映其产能扩张和良率改善取得显著进展。[3][4]

• 技术优势
  : MR-MUF(批量回流模压成型)工艺成熟,良率达95%
• 产能规模
  : 2026年HBM产能计划扩张至月产25万片晶圆
• 客户关系
  : NVIDIA核心供应商,HBM3E市场主导者
• 战略布局
  :
  • 已建立全球首条HBM4量产系统(2024年9月)
  • 与台积电强化封装技术合作
  • 建立专用HBM组织和全球AI研究中心
  • 投资2.5万亿韩元用于HBM4研发[5]

• 技术突破
  : 押注**混合键合(Hybrid Bonding)**技术,目标2028年推出HBM4E产品
• 产能规划
  : 2026年HBM产能拟增长50%,月产能达25万片晶圆
• 独特优势
  : 全球唯一同时拥有先进晶圆厂、存储芯片部门和先进封装能力的企业
• 挑战
  : 混合键合良率仅约10%,16层HBM4量产遇阻
• 制程优势
  : 1c DRAM工艺(第六代10nm节点)能效较竞品高40%[6]

• 差异化策略
  : 专注低功耗HBM技术,2026年产能已通过预售全部售罄
• 产能扩张
  : 投资200亿美元在台湾和日本建设新工厂
• 技术路线
  : 基于1-beta节点制程,速率超11Gbps,2026年Q2高良率爬坡
• 资本支出
  : 2026财年资本开支提升至200亿美元,同比增长45%
• 客户拓展
  : 获得Google、AWS等定制ASIC订单[7]

---

根据TrendForce预测:

• 2025年HBM需求同比增长
  : 超过130%
• 2026年HBM需求增长
  : 预计仍将超过70%
• 主要驱动力
  :
  • NVIDIA B300、GB300平台量产
  • AMD R100/R200系列加速部署
  • Google TPU和AWS Trainium全面转向HBM3E
  • AI推理需求快速崛起,预计2029年推理将占AI服务器存储需求的75%[8]

关键数据

: 2026年全球存储产能预订已趋饱和,HBM产能全数售罄,SK海力士常规DRAM及NAND订单已完成锁定。[9]

:

厂商	2025年资本支出	2026年计划资本支出	HBM投资占比
SK海力士	28万亿韩元	35万亿韩元	~7% (2.5万亿韩元)
三星电子	33万亿韩元	40万亿韩元	~10%
美光科技	180亿美元	200亿美元	~12.5%

• DDR5价格
  : 自2025年9月初以来上涨超过300%
• DDR4价格
  : 涨幅接近160%
• HBM3E价格
  : 因产能紧张预计2026年上涨20-30%
• 2026年DRAM合约价预测
  : 上涨60%-70%[10]

---

是HBM4的核心需求方,计划于2026年推出,其规格要求推动三大厂商加速竞争:

• 采用成熟MR-MUF工艺推进12层HBM4量产
• 2026年Q2小批量生产,Q3扩大产能
• 同时开发16层HBM4产品,可能命名为HBM4E

• 跳过传统微凸点,直接采用
  混合键合技术
• 目标2026年推出16层HBM4产品
• 挑战: 混合键合良率仅10%,需大幅提升

• 12层HBM4聚焦高良率爬坡(Q2 2026)
• 承诺快速过渡至HBM4E(2027年),容量达64GB
• 2026年HBM产能已通过预售锁定[11]

技术方向	现状	发展方向
堆叠层数	8-12层	16-20层
键合技术	微凸点(50μm节距)	混合键合(9μm节距)
逻辑基座	标准设计	定制化逻辑(支持客户特定功能)
散热方案	硅中介层	集成散热模组

台积电的CoWoS封装技术是HBM产业链的关键环节:

• CoWoS产能
  : 从1.5倍光罩扩展至3.3倍,支持8颗HBM芯片
• CoWoS-L
  : 2026年支持12颗HBM3E/HBM4堆叠
• 定制逻辑芯片
  : 美光选用台积电代工HBM4E基座,SK海力士准备2026年下半年推出定制产品[12]

---

• 定位
  : 中国DRAM龙头,2025年启动IPO辅导,估值达1400亿元
• 产能扩张
  : 2025年月产能预计达30万片,同比增50%
• 技术进展
  :
  • DDR5转产加速,全球市占率预计从1%跃升至7%
  • LPDDR5从0.5%提升至9%
  • LPDDR5X速率达10667Mbps,对标国际主流
• 目标
  : 2025Q4全球DRAM市场份额达10%

• 技术优势
  : Xtacking架构和混合键合技术具备竞争力
• 产能布局
  : 三期项目注册资本207.2亿元(2025年9月)
• 技术指标
  : 3D NAND堆叠层数达200层以上

核心挑战

: HBM技术涉及复杂3D堆叠、TSV通孔和先进封装,国产厂商在HBM领域

暂无明确的研发进度表

,与海外龙头存在2-3代技术差距。[13]

产业链环节	核心标的	竞争壁垒
存储设计	兆易创新	NOR Flash全球前三,利基型DRAM
内存接口	澜起科技	DDR5全球市占40%-45%,JEDEC标准制定者
先进封装	长电科技	HBM封装良率领先,通过英伟达认证
封测	深科技、通富微电	国内最大DRAM封测企业
材料	雅克科技	HBM前驱体全球市占18%,SK海力士独家供应商
设备	北方华创、中微公司	刻蚀、沉积设备切入存储产线
CMP设备	华海清科	12英寸CMP设备市占超60%

---

1. HBM供不应求将持续
   : AI算力需求强劲,产能扩张周期长,2026年HBM价格预计上涨20-30%
2. 技术升级红利
   : HBM4/HBM4E量产将带来价值量提升(较HBM3E提升50%+)
3. 国产替代加速
   : 长鑫、长江存储扩产叠加国产设备/材料需求增长
4. 封装环节价值凸显
   : HBM封装良率和产能成为关键瓶颈

标的	代码	逻辑要点
澜起科技	688008.SH	DDR5内存接口龙头,CXL芯片适配AI服务器,毛利70%+
长电科技	600584.SH	全球第三封测厂,HBM封装良率领先
雅克科技	002409.SZ	HBM前驱体全球18%市占,SK海力士独家供应商
佰维存储	688525.SH	AI眼镜存储全球第一,晶圆级封装
SK海力士	000660.KS	HBM全球龙头,技术领先+产能扩张
美光科技	MU.O	美国HBM龙头,产能已售罄至2026年底

风险类型	具体内容
需求不及预期	AI服务器出货量若放缓,将影响HBM需求
产能过剩风险	2027年后若产能集中释放,可能供过于求
技术良率风险	三星混合键合、16层堆叠良率提升进度
地缘政治	出口管制可能影响中国市场获取先进HBM
价格波动	存储行业周期性特征,价格波动剧烈

---

1. SK海力士暂居领导地位
   : 凭借MR-MUF工艺和NVIDIA深度合作,保持HBM市场份额第一(53%)
2. 三星强势追赶
   : 通过混合键合技术和激进产能扩张,市场份额从22%跃升至35%,是HBM4时代最大变数
3. 美光差异化突围
   : 以低功耗和快速产能扩张策略,锁定特定客户群,2026年产能已售罄
4. HBM4将重塑格局
   : 2026年HBM4量产将决定未来3-5年市场排序,技术路线选择(传统vs混合键合)至关重要
5. 国产替代任重道远
   : 中国厂商在传统DRAM领域加速追赶,但HBM技术差距仍明显,需长期投入

“2026年是存储行业’复苏驱动、技术赋能、格局重塑’之年。HBM将成为决定AI算力上限的核心战场,三星与SK海力士的正面竞争、美光的快速崛起,以及中国厂商的国产替代进程,将共同塑造全球存储芯片新秩序。”[14]

---

[1] TrendForce - AI Compute Race Triggers a Global Memory Supercycle (https://www.trendforce.com/insights/memory-wall)

[2] Financial Content - The 2026 HBM4 Memory War (https://markets.financialcontent.com/stocks/article/tokenring-2026-1-15-the-2026-hbm4-memory-war-sk-hynix-samsung-and-micron-battle-for-nvidias-rubin-crown)

[3] Reuters - Samsung Electronics Highlights Progress on HBM4 Chip Supply for 2026 (https://www.reuters.com/world/asia-pacific/samsung-electronics-highlights-progress-hbm4-chip-supply-2026-01-02/)

[4] Semiecosystem - SK Hynix’ Lead Shrinks In DRAM, HBM (https://marklapedus.substack.com/p/sk-hynix-lead-shrinks-in-dram-hbm)

[5] SK Hynix - 2026 Market Outlook: HBM to Fuel AI Memory Supercycle (https://news.skhynix.com/2026-market-outlook-focus-on-the-hbm-led-memory-supercycle/)

[6] TrendForce - NVIDIA Fuels HBM4 Race: 12-Layer Ramps, 16-Layer Push (https://www.trendforce.com/news/2026/01/09/news-nvidia-demand-fuels-hbm4-race-12-layer-ramps-16-layer-push-by-sk-hynix-samsung-and-micron/)

[7] Financial Content - Inside the HBM4 Memory War at CES 2026 (https://markets.financialcontent.com/wral/article/tokenring-2026-1-14-the-2048-bit-breakthrough-inside-the-hbm4-memory-war-at-ces-2026)

[8] TrendForce - AI Server Demand Forecast: Training vs Inference 2025-2029 (https://www.trendforce.com/insights/memory-wall)

[9] 国金证券 - 存储扩产周期叠加自主可控加速报告 (https://pic-test-gjmetal-1324067834.cos.ap-shanghai.myqcloud.com/)

[10] 东方财富 - 2026高增长逻辑确定附存储芯片全产业链核心概念股 (https://caifuhao.eastmoney.com/news/20260117054444893173810)

[11] TechPowerUp - HBM4 News (https://www.techpowerup.com/news-tags/HBM4)

[12] TweakTown - SK Hynix, Samsung, and Micron Fighting for NVIDIA Supply Contracts (https://www.tweaktown.com/news/109495/sk-hynix-samsung-and-micron-fighting-for-nvidia-supply-contracts-for-new-16-hi-hbm4-orders/index.html)

[13] 金角财经 - 一盒内存条贵过一套房,国产存储第一股来了 (https://m.thepaper.cn/newsDetail_forward_32375943)

[14] Global Semi Research - 2026 Memory Industry Insights (https://globalsemiresearch.substack.com/p/2026-memory-industry-insights)