天岳先进12英寸SiC晶圆产业化进度系统分析

根据我收集到的最新信息，以下是关于天岳先进12英寸SiC晶圆产业化进度的系统分析：

天岳先进已成功发布覆盖多种类型的12英寸碳化硅衬底产品，包括[1]：

• 12英寸导电型碳化硅衬底
• 12英寸半绝缘型碳化硅衬底
• 12英寸P型碳化硅衬底
• 12英寸N型碳化硅衬底

时间节点	重大突破
2024年11月	全球首发12英寸导电型衬底，亮相慕尼黑Semicon Europe[2]
2025年3月	全系列12英寸产品亮相Semicon China，跻身国际第一梯队[1]
2025年11月	“全系列12英寸碳化硅衬底全球首发"入选"2025年度中国第三代半导体技术十大进展”[3]
2026年1月	12英寸产品亮相国家博物馆"中国制造’十四五’成就展"[3]

截至2025年10月，公司已取得全球头部客户的多个12英寸SiC产品订单[1]，并与下游客户积极对接中。具体客户包括：

• 全球前十大功率半导体器件制造商中超过半数建立合作关系[4]
• 与英飞凌、博世等国际大厂保持长期合作[5]
• 2025年7月与舜宇奥来达成战略合作，聚焦碳化硅光波导镜片领域[1]

市场消息显示，英伟达计划在2027年前将CoWoS先进封装中间基板材料由硅换成碳化硅，仅H100替换就对应近7.7万张衬底需求[1]。天岳先进已进行前瞻性技术布局，其碳化硅材料成为英伟达新一代Rubin GPU的CoWoS先进封装中介层核心选型[3]。

• 一期工程
  ：已于2024年年中提前达成年产30万片导电型衬底的产能目标[2]
• 二期扩产
  ：重点布局12英寸产品，但具体产能规模和达产时间尚未明确披露[1]

公司港股招股书中提及"2027年底将产能增加约50万片"，临港基地二期扩产是该目标的重要组成部分，但未说明12英寸产品的具体占比[1]。

截至2025年6月底，两大工厂（济南+临港）合计设计产能已突破40万片[4]。

天岳先进已实现12英寸N型、P型、半绝缘型碳化硅衬底全品类突破，产品缺陷控制关键指标全面优于行业标准[3]，技术层面已具备产业化基础。

• ✅
  已完成
  ：技术研发、产品发布、客户送样、首批订单获取
• 🔄
  进行中
  ：产能爬坡、规模化量产、良率提升
• ❓
  待明确
  ：12英寸具体产能规模、达产时间表、成本控制目标

1. 产能爬坡进展尚未公开披露[1]
2. 良品率和成本控制数据作为"商业秘密"未公开[1]
3. 12英寸产品尚未形成规模化收入[1]

• 2024年全球导电型碳化硅衬底市占率跃升至22.8%，稳居全球第二[2]
• 半绝缘型衬底连续4年位居全球前三[5]

• Wolfspeed：曾是行业龙头，但2024年深陷财务危机，2025年6月申请破产保护[6]
• 英飞凌：2025年Q1发布首批200mm SiC产品[6]
• Coherent：2025年12月宣布新增12吋SiC衬底产能[6]

相较8英寸产品，12英寸衬底单片可用面积提升约2.25倍，芯片产出量增加2倍以上，有效芯片产出数量提升近90%[3]，在AR眼镜领域单方可制作10-12副光波导镜片，远超6英寸（2副）和8英寸（3-5副）的产出效率[3]。

天岳先进12英寸SiC晶圆产业化处于的关键阶段：

1. 已完成阶段
   ：核心技术突破、产品系列化、头部客户导入
2. 进行中阶段
   ：产能建设爬坡、成本优化、良率提升
3. 待突破阶段
   ：规模化收入形成、盈利贡献

• 技术领先优势明显，已跻身全球少数掌握12英寸SiC技术企业之列
• 客户订单获取表明市场对其技术的认可，但规模化收入尚需时日
• 临港二期12英寸产能布局是未来2-3年关键增长点
• 短期业绩仍依赖8英寸产品支撑[1]

• 产能爬坡进展不及预期
• 行业价格竞争加剧
• 12英寸产品良率提升进度
• 国际客户验证周期

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[1] 财联社 - 天岳先进：已获全球头部客户多个12英寸SiC订单 但未正面回答产能爬坡进展 (2025年10月13日)
[2] 证券时报 - 天岳先进：2024年营收增长逾四成，净利润扭亏为盈 (2025年3月28日)
[3] 证券时报 - 天岳先进：12英寸衬底亮相国家博物馆"中国制造’十四五’成就展" (2026年1月5日)
[4] 证券时报 - 天岳先进：研发投入增长34.94% 多维布局夯实全球碳化硅衬底龙头地位 (2025年8月29日)
[5] 山西证券研报 - 半导体材料天岳先进（688234.SH）增持-A (2024年11月8日)
[6] 电子工程专辑 - SiC和GaN市场格局的演变 (2025年12月25日)