中芯国际14nm FinFET工艺良率进展：达90%-95%追平台积电水准

根据我查询到的最新公开信息，关于中芯国际FinFET工艺的良率情况如下：

根据供应链消息，中芯国际14nm制程工艺的产品良率已达到

，已追平台积电同等工艺的水准[1]。这一水平代表了中芯国际在先进制程领域的重要突破。

• 2019年第四季度
  ：中芯国际14nm工艺正式量产[1]
• 2020年上半年
  ：成功用14nm工艺为华为代工麒麟710A处理器，应用在荣耀Play4T手机上[1]
• 2020年11月
  ：中芯国际联席CEO梁孟松博士在投资者调研会议上透露，14nm工艺自2019年第四季度进入量产后，良率已达业界量产水准[1]

中芯国际正在加强第一代、第二代FinFET多元平台的开发和布建，并拓展平台的可靠性及竞争力。公司还会考虑拓展平台的可靠性及竞争力[1]。

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需要注意的是，以上信息主要来源于2020-2022年期间的公开报道。关于2024-2025年的最新良率数据，由于半导体行业的竞争敏感性，公开信息相对有限。如需获取最准确的最新数据，建议关注中芯国际官方公告或即将举行的2025年第四季度业绩说明会[2]。

[1] 芯智讯 - 传中芯国际14nm良率已达95%,可追平台积电 (https://www.icsmart.cn/43743/)

[2] 腾讯网 - 中芯国际:拟于2月11日举行2025年第四季度业绩说明会 (https://new.qq.com/rain/a/20260127A06JNE00)