AI驱动的内存短缺：长期投资机遇与行业动态

AI驱动的内存短缺已引发半导体行业的结构性变化。2025年第三季度DRAM价格同比上涨171.8% [1]，其中对AI至关重要的高带宽内存（HBM）呈现爆发式增长（三星HBM出货量环比增长85% [2]）。市场仍高度集中：SK海力士（33.2%）、三星（32.6%）和美光（25.7%）控制着全球约91.5%的DRAM市场份额 [2]，这使其能够控制供应（自2025年9月以来三星已提价60% [4]）。ASML（EUV垄断 [3]）和应用材料（2025年DRAM收入增长超50% [3]）等设备供应商从晶圆厂扩建中受益。

1. 周期转变
   ：受AI基础设施需求影响，传统3.5-4.5年的内存周期已延长至4年以上 [4]。
2. 集中度优势
   ：顶级生产商的主导地位通过供应控制确保了持续盈利 [2,4]。
3. 设备护城河
   ：ASML的EUV垄断地位和应用材料的前沿客户群创造了持久优势 [3]。

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• 尽管周期延长，周期性波动依然存在 [4]。
• 2026年中期晶圆厂扩建可能会减缓价格上涨 [1]。

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• 对成熟生产商（MU、SSNGY、HXSCL）和设备供应商（ASML、AMAT）的长期持仓 [1,2,3]。
• HBM增长利好三星和SK海力士 [2]。

• 市场份额：2025年第三季度，前三大DRAM生产商占据约91.5%的份额 [2]。
• 价格趋势：DRAM同比上涨171.8%；预计到2025年底将再涨30% [1,4]。
• 设备市场：到2033年将达到2244亿美元 [3]。
• 短缺持续时间：至少四年 [4]。

注：本摘要提供信息背景，不构成投资建议。