存储芯片股展望:Susquehanna的侯赛尼在CNBC强调AI驱动的价格上涨动能
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Susquehanna的迈赫迪·侯赛尼在CNBC的亮相,为2025年末至2026年初逐步形成的存储芯片股建设性前景提供了重要佐证。他提出的“受价格走强推动,存储芯片股盈利预期上调”的观点,与可见的市场数据以及分析师共识的转变一致,后者已大幅上调了整个存储板块的目标价[1][5]。
存储芯片市场的价格走势展现出远超典型周期性规律的强劲表现。DRAM合约价格环比上涨约55-60%,而DDR5 64GB RDIMM的价格已从2025年9月的149美元飙升至约239美元,较2025年初的低点可能翻倍[6][7][8]。这种价格强势并非DRAM独有;NAND Flash供应持续紧张,预计2026年企业级应用将成为NAND Flash最大的细分市场[6]。对AI加速器应用至关重要的高带宽内存(HBM)市场,在SK海力士(SK Hynix)、三星(Samsung)和美光(Micron)等主要供应商处,2026年全年将维持售罄状态[8]。
AI主题交易是这场结构性转变背后的核心需求催化剂。北美云服务供应商正加速2026年的AI基础设施投资,对服务器内存和HBM产品的持续需求增速超过了供应增长。这种供需失衡使得存储芯片制造商能够在提升利润率的同时保持定价权,从根本上改变了该板块的盈利轨迹。
市场表现数据证实了存储芯片板块的出色走势。美光今年以来回报率为+7.09%,过去一个月为+42.40%,过去三个月为+81.91%,过去六个月为+181.68%,过去一年为+231.46%[0]。这一表现反映了侯赛尼在CNBC强调的存储芯片价格走势基本面改善和持续的AI驱动需求。
各类存储芯片的价格环境持续走强。DRAM价格同比上涨50-60%,预计2026年将进一步上涨30%。HBM3/3E产品持续短缺,供应商2026年全年将维持售罄状态[6][7][8]。行业对服务器应用和AI工作负载的关注,正重塑产品结构和盈利格局。
板块相关性分析表明,1月7日存储芯片股的走弱是大幅上涨后的技术性回调,而非市场否定其基本面。科技板块的出色表现(+0.85%)与存储芯片股的走弱同时出现,表明这是科技板块内部的轮动,泛林集团(Lam Research)和应用材料(Applied Materials)等半导体设备股在52周高点附近也出现了类似的小幅走弱[0]。
需关注的前瞻性因素包括DRAM/NAND价格走势、超大规模云服务商的资本支出(CapEx)公告、供应商产能提升计划以及纽约超级晶圆厂的建设进度。存储芯片板块当前的高估值基于AI需求持续和定价权维持的假设;若出现需求疲软或供应过剩迹象,可能导致估值倍数大幅压缩,因此入场时机和仓位规模是重要的考量因素[10]。
数据基于历史,不代表未来趋势;仅供投资者参考,不构成投资建议
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