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天岳先进深度报告：SiC作为CoWoS核心材料的投资逻辑

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2026年1月21日

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天岳先进(688234.SS)深度研究报告：SiC作为CoWoS新一代核心材料的投资逻辑分析
一、核心结论

涨停逻辑成立，但需注意短期估值风险。
天岳先进近期20cm涨停的背后逻辑具有较强的基本面支撑，核心逻辑在于碳化硅（SiC）材料在先进封装（CoWoS）领域的技术突破带来的结构性机遇。英伟达计划2027年在新一代Rubin GPU中采用SiC替代硅作为中介层材料，台积电已联合设备厂商加速研发，这一产业趋势为碳化硅衬底企业开辟了全新的增长赛道[1][2]。然而，当前公司静态估值高达1425倍PE，股价已提前反应部分预期，建议投资者密切关注技术导入进度和订单落地情况。

二、公司概况与市场表现
2.1 基本面定位

天岳先进（股票代码：688234.SS/02631.HK）是

全球碳化硅衬底领军企业
，是全球少数能够提供12英寸碳化硅衬底样品的厂商之一。公司主营产品包括导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底，广泛应用于新能源汽车、光伏发电、5G通信、射频器件等领域[0]。

从行业地位来看，天岳先进在全球碳化硅衬底市场占据重要份额，近年来持续加大研发投入，在大尺寸衬底制备技术上保持领先优势。公司客户群体涵盖国内外主流功率半导体厂商和芯片制造企业，为其在AI芯片封装领域的布局奠定了客户基础。

2.2 近期股价表现

股价走势图

从K线图可以清晰观察到，天岳先进近期呈现强劲的上涨趋势：

时间周期 涨跌幅 备注
5日 +19.79% 短期爆发
20日 +27.06% 趋势性上涨
1个月 +32.10% 加速上涨
3个月 +52.35% 中期强势
6个月 +89.88% 趋势性大牛
1年 +102.18% 翻倍行情

截至2026年1月20日，公司股价收于

109.60元人民币
，市值达到
471亿美元
（约4700亿人民币），2025年以来累计涨幅超过100%[0]。

三、SiC作为CoWoS核心材料的投资逻辑
3.1 先进封装技术背景：CoWoS的散热难题

CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）是台积电主导的先进2.5D封装技术，通过在芯片与基板之间加入中介层（Interposer），实现多芯片的高密度互连。随着AI算力芯片对性能需求的不断提升，CoWoS封装面临两大核心挑战[2][3]：

1. 散热瓶颈日益严峻

  • 英伟达Blackwell Ultra B300 GPU功耗达到
    1400W
  • 下一代Rubin Ultra功耗预计进一步攀升
  • 传统硅中介层热导率（约150W/m·K）已无法满足散热需求

2. 封装面积持续扩大

  • 2024年硅中介层面积约50×50mm²（3倍光罩）
  • 2027年预计扩大至81×81mm²（8倍光罩）
  • 面积增加近两倍，对材料性能提出更高要求
3.2 SiC材料的性能优势

碳化硅（SiC）相比传统硅材料具有显著的性能优势，使其成为CoWoS中介层的理想替代材料[1][2][3]：

性能指标 硅 (Si) 碳化硅 (SiC) 优势倍数
热导率 150 W/m·K 490 W/m·K
2-3倍
禁带宽度 1.1 eV 3.2 eV 3倍
击穿电场 0.3 MV/cm 2.8 MV/cm 9倍
深宽比通孔 <17:1
109:1
 6倍以上

核心优势分析：

  1. 卓越散热能力
    ：SiC热导率是硅的2-3倍，可有效解决AI芯片的高功耗散热难题，同时有望缩小散热片尺寸，降低整体封装成本[3]。

  2. 更高深宽比通孔
    ：美国杨百翰大学团队已实现350μm厚4H-SiC制备出深宽比高达109:1的通孔，而常规硅中介层通孔深宽比低于17:1[3]。这意味着：

    • 可实现更密集的互连布局
    • 缩短互连长度，提升芯片性能
    • 缩小封装体积，2.5D封装效果接近3D封装

  3. 耐化学性好
    ：SiC可通过湿法刻蚀制备高深宽比通孔，工艺兼容性优于其他材料。

3.3 产业巨头的技术路线图

英伟达（NVIDIA）：

  • 2025年9月据中国台湾媒体报道，英伟达计划在新一代Rubin处理器的CoWoS封装中，将中介层材料由硅替换为碳化硅[1][2]
  • 最晚
    2027年
    正式导入量产
  • 第一代Rubin GPU仍采用硅中介层，但后续版本将全面切换

台积电（TSMC）：

  • 已联合日本DISCO等设备厂商研发SiC中介层制造技术[2][3]
  • 2024年在欧洲开放创新平台(OIP)论坛上宣布：
    • 2025-2026年推出5.5倍光罩CoWoS封装（1万mm²）
    • 2027年推出7倍光罩CoWoS封装（1.44万mm²）
  • 2025年Q4财报超预期，2026年资本开支指引大幅上调至
    520-560亿美元
    ，创历史新高[1]
3.4 市场规模测算

华西证券研报测算，如果CoWoS采用SiC替代硅中介层，市场需求将呈现爆发式增长[1][2]：

市场规模预测图

关键假设：

  • CoWoS封装2028年后保持35%复合增长率
  • SiC材料替换率最终达到70%
  • 按单片12英寸晶圆产出5-21个中介层计算

需求测算：

  • 2024年：约2.17万片12英寸SiC衬底/年
  • 2026年：约26.88万片12英寸SiC衬底/年
  • 2030年：
    超过230万片12英寸SiC衬底/年
    • 等效约
      920万片6英寸
      ，远超当前全球产能供给

对比当前产能：

  • 2024年全球SiC衬底产能有限
  • 2030年需求约为当前的
    10倍以上
  • 市场供需缺口巨大，为国内企业带来显著增长机遇
四、财务与估值分析
4.1 关键财务指标
指标 数值 评价
市盈率 (P/E) 1425.23x 极高，反映高增长预期
市净率 (P/B) 7.15x 适中
P/S ratio 29.45x 较高
ROE (净资产收益率) 0.64% 较低
净利润率 2.32% 较低
流动比率 3.53 优秀
速动比率 2.81 优秀
债务风险 低 财务稳健[0]
4.2 盈利能力分析

从财务分析结果来看，天岳先进当前盈利能力较弱，存在以下特点[0]：

  1. 保守型会计政策
    ：公司采用保守的会计处理方式，高折旧/资本支出比率可能意味着未来业绩有改善空间

  2. 自由现金流为负
    ：最新财年自由现金流为-5.02亿元，反映公司仍处于产能扩张和研发投入期

  3. 营收承压
    ：2025年Q3营收3.18亿美元，低于市场预期的3.95亿美元，降幅19.41%

但需注意：

  • 公司处于半导体材料国产替代的战略机遇期
  • 当前亏损/低利润是战略性投入的结果
  • 未来随着AI芯片需求放量，盈利改善空间巨大
4.3 估值合理性评估

高估值的原因：

  1. 赛道稀缺性
    ：全球能提供12英寸SiC衬底的企业仅十余家，天岳先进具备先发优势
  2. 高增长预期
    ：AI芯片封装带来的增量需求是传统市场规模的数倍
  3. 国产替代红利
    ：中国SiC产业链在投资规模、生产成本、下游支持方面具备三大优势
  4. 机构看好
    ：多家券商给予"买入"评级，华西证券将其列为SiC衬底受益标的

风险提示：

  • 当前估值已充分反映部分乐观预期
  • 业绩兑现需要时间，技术导入存在不确定性
  • 需警惕预期落空导致的估值回调
五、技术分析
5.1 趋势判断
分析维度 结论
趋势类型
上升趋势
趋势状态 待确认（突破后观察）
买入信号日期 2026年1月16日
支撑位 98.05元
阻力位 114.94元
下一目标位 121.01元
趋势评分 7.5/10 [0]
5.2 技术指标
指标 数值 信号
MACD 无死叉 偏多
KDJ K:76.9, D:70.9, J:88.9 买入信号
RSI (14) 超买区域 风险警示
Beta 0.07 与大盘关联度极低
5.3 风险警示
  1. RSI处于超买区域
    ：短期存在回调风险
  2. 波动率较高
    ：日波动标准差4.92%，属于高波动个股
  3. 需确认突破有效性
    ：1月16日发出买入信号，但需后续K线确认
六、投资评级与风险提示
6.1 综合评估
评估维度 评分 说明
逻辑合理性 ★★★★★ SiC替代硅中介层的产业趋势明确
市场规模 ★★★★★ 增量市场是现有规模的10倍以上
公司竞争力 ★★★★☆ 全球少数具备12英寸SiC量产能力
估值合理性 ★★☆☆☆ 静态估值极高
短期风险 ★★★☆☆ 处于超买区域
6.2 投资建议

短期（1-3个月）：
谨慎追高

  • 股价短期涨幅较大（近20日涨27%）
  • RSI处于超买区域
  • 建议等待回调至支撑位（98元附近）再行布局

中期（3-6个月）：
逢低布局

  • 关注英伟达Rubin GPU进展和台积电CoWoS产能扩张
  • 跟踪SiC中介层技术导入时间表
  • 逢回调可逐步建仓

长期（1年以上）：
战略性看好

  • SiC在AI芯片封装领域的市场空间巨大
  • 公司具备先发优势和技术壁垒
  • 国产替代+AI算力需求双轮驱动
6.3 核心风险因素
风险类型 具体内容 风险等级
技术风险
 SiC中介层技术推进不及预期，导入时间延迟 高
竞争风险
 国内外竞争对手加速12英寸SiC研发，份额被侵蚀 中
地缘政治
 中美科技摩擦可能影响芯片供应链合作 中
估值风险
 当前估值已充分反映乐观预期，业绩不及预期则大幅回调 高
市场风险
 AI芯片需求增速放缓，影响CoWoS扩产进度 中
七、结论

天岳先进20cm涨停背后的投资逻辑

基本成立
，核心逻辑如下：

  1. 产业趋势明确
    ：英伟达计划2027年在Rubin GPU中采用SiC中介层，台积电已联合设备商研发，技术路线清晰[1][2][3]

  2. 市场空间巨大
    ：华西证券测算2030年需要超过230万片12英寸SiC衬底，是当前市场规模的10倍以上[1]

  3. 公司具备竞争力
    ：天岳先进是全球少数能提供12英寸SiC衬底的企业，部分客户已进入英伟达供应链[1]

  4. 催化剂临近
    ：台积电2025年Q4业绩超预期，2026年资本开支大幅上调至560亿美元，CoWoS产能扩张加速[1]

但需注意：

  • 当前估值极高（P/E 1425x），股价已提前反应部分预期
  • SiC中介层技术尚未大规模量产，订单落地存在不确定性
  • 短期RSI处于超买区域，建议等待回调后择机布局

总结
：SiC作为台积电CoWoS新一代核心材料的逻辑具有较强的产业支撑，但投资者需关注技术导入进度和订单落地情况，避免在估值高位追涨。长期来看，天岳先进有望成为AI算力芯片产业链的重要受益者。

参考文献

[1] 新浪财经 - “天岳先进午前涨逾16% 公司积极拓展碳化硅在新兴领域的应用” (https://finance.sina.com.cn/stock/hkstock/marketalerts/2026-01-16/doc-inhhnkez5660595.shtml)

[2] 智通财经 - “港股异动| 天岳先进(02631)涨超17% 台积电业绩超预期且指引积极” (https://cn.investing.com/news/stock-market-news/article-3168656)

[3] 电子工程专辑 - “英伟达采用12英寸SiC？又添一条新赛道” (https://www.eet-china.com/mp/a435577.html)

[4] 华西证券 - “半导体行业SiC深度(一)：先进封装，英伟达、台积电未来的材料之选” (http://www.sdyanbao.com/detail/933023)

[0] 金灵AI金融数据库（公司概况、财务数据、技术分析、市场数据）

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