拓荆科技PECVD设备获SMIC订单及薄膜沉积赛道竞争格局分析

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2026年1月26日

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拓荆科技PECVD设备获SMIC订单及薄膜沉积赛道竞争格局分析

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基于最新的市场调研数据,我为您系统分析拓荆科技PECVD设备获SMIC订单的情况以及薄膜沉积赛道的竞争态势。


一、拓荆科技与中芯国际合作动态
订单与业务合作情况

拓荆科技作为国内

薄膜沉积设备领域绝对龙头
,其产品矩阵已全面覆盖国内主流晶圆厂客户群体。根据公开信息,公司与中芯国际(SMIC)建立了紧密的战略合作关系,产品已导入其晶圆制造产线[1][2]。

核心业务数据表现

  • 2025年上半年
    :公司实现营业收入19.54亿元,同比增长54.25%,主要来自薄膜沉积设备销售[3]
  • 技术进展
    :PECVD设备已量产40-14nm逻辑芯片、128层以上3D NAND;SACVD实现国产化突破;ALD进入先进制程验证阶段[1]
  • 装机规模
    :拓荆科技PECVD设备在长江存储3D NAND产线装机量达200台,市场占比从15%提升至30%[4]
客户结构与市场覆盖
客户类型 应用领域 合作深度
中芯国际 逻辑芯片、成熟制程 设备批量供货
长江存储 3D NAND 装机量200台,占比30%
长鑫存储 DRAM 持续导入中

二、薄膜沉积赛道竞争格局分析
全球市场格局

薄膜沉积设备是半导体制造的

三大核心工艺设备之一
(与光刻机、刻蚀机并列为价值量最高的设备),在晶圆制造环节价值量占比达
22%
[5]。全球市场呈现以下特征:

梯队 代表企业 市场地位
第一梯队 应用材料(AMAT)、泛林(LAM) 全球市占率超60%,主导高端市场
第二梯队 东京电子(TEL)、ASML 各细分领域优势明显
第三梯队 北方华创、拓荆科技、中微公司 国产替代主力,技术追赶中
国产替代加速态势

根据2026年1月行业数据,国内半导体设备国产替代率已从2025年的

25%提升至35%
,其中刻蚀机、薄膜沉积设备等核心设备替代率
突破40%
[4]:

  • 北方华创
    :氧化炉、扩散炉在中芯国际28nm产线占比超60%[4]
  • 中微公司
    :5nm刻蚀机成功进入台积电先进制程产线验证[4]
  • 拓荆科技
    :PECVD、SACVD、ALD全产品线覆盖,国内市占率领先[1]

三、竞争加剧程度评估
竞争维度分析
1. 国际巨头竞争压力
  • 技术代差
    :国际龙头已量产3nm及以下制程设备,国产设备主要覆盖28nm-14nm成熟制程
  • 专利壁垒
    :应用材料、泛林等构建了完善的专利体系,对后来者形成法律风险
  • 供应链话语权
    :国际巨头与台积电、三星等全球龙头深度绑定,国产厂商突破需时间验证
2. 国内同业竞争态势
竞争领域 北方华创 拓荆科技 竞争烈度
PVD设备 国内龙头 无布局 低(错位竞争)
LPCVD/ALD 有布局 有布局
中高(直接竞争)
PECVD 布局较晚
绝对龙头
低(先发优势)
SACVD 布局较少
核心产品
低(差异化竞争)
3. 竞争加剧的关键变量

推动竞争加剧的因素

  • 市场需求激增
    :AI算力需求爆发,3D芯片结构(FinFET/GAA)对薄膜沉积设备需求大幅增长[1]
  • 国产替代政策支持
    :国家大基金三期3440亿元投资落地,政策红利持续释放[1]
  • 产能扩张周期
    :国内存储大厂上市扩产及全球AI投资带动产能建设[4]

竞争护城河分析

  • 技术壁垒
    :拓荆科技在PECVD领域技术成熟,已形成从"跟跑"到"领跑"的跨越[2]
  • 客户绑定
    :深度绑定中芯国际、长江存储、长鑫存储等国内晶圆厂[1]
  • 平台化布局
    :从单一PECVD向ALD、SACVD、HDPCVD等全品类扩展[2]

四、投资价值与风险提示
竞争优势总结
  1. 技术先发优势
    :PECVD设备国内第一,SACVD实现国产化突破,ALD进入先进制程验证
  2. 客户资源壁垒
    :覆盖国内所有头部晶圆厂,形成稳定的收入基础
  3. 政策红利叠加
    :国产替代率提升+大基金支持+AI算力需求爆发三重驱动
风险因素
风险类型 具体内容 影响程度
技术迭代风险 国际巨头向更先进制程推进 中高
产能过剩风险 下游客户扩产不及预期
验证周期风险 设备导入周期拉长影响业绩确认
限售股解禁 国家大基金减持(2025年12月-2026年1月减持261.21万股)[6]

五、结论

拓荆科技PECVD设备获SMIC订单标志着国产薄膜沉积设备在头部晶圆厂的渗透率持续提升。当前竞争格局呈现**“外有压力、内有分化”**的特征:

  • 对国际巨头
    :技术代差仍然存在,但国产替代窗口期明确
  • 对国内同业
    :拓荆科技在PECVD领域具有
    先发优势
    ,但北方华创等在LPCVD/ALD领域构成直接竞争

竞争加剧程度判断
:中短期来看,薄膜沉积赛道竞争有所加剧但整体可控,拓荆科技凭借技术积累和客户绑定仍可保持领先地位;长期来看,随着AI算力需求爆发和国产替代加速,行业将进入**“技术突破+份额提升”**的双轮驱动阶段。


参考文献

[1] 搜狐 - “拓荆科技大宗交易成交1.56亿元背后的机构博弈逻辑与半导体赛道深度解析” (https://www.sohu.com/a/976538101_122618752)

[2] 新浪财经 - “拓荆科技:构建薄膜沉积设备全品类矩阵” (https://finance.sina.com.cn/jjxw/2026-01-23/doc-inhifkwn2408027.shtml)

[3] 东方财富网 - “拓荆科技:2025年上半年公司实现营业收入195414.62万元” (http://finance.eastmoney.com/a/202601053609132032.html)

[4] 腾讯网 - “AI驱动2025全球半导体市场创历史新高,半导体材料设备指数涨超6%!” (https://new.qq.com/rain/a/20260107A0377Y00)

[5] 腾讯网 - “半导体设备行业:国产替代下的2026年前景展望” (https://new.qq.com/rain/a/20260109A034PM00)

[6] 腾讯网 - “拓荆科技:国家集成电路基金2025年12月25日至2026年1月12日减持261.21万股” (https://new.qq.com/rain/a/20260112A06NKC00)

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