AI服务器需求爆发对存储芯片价格周期的传导机制分析
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基于上述数据收集和分析,现在我来为您系统性地解析
存储芯片(DRAM和NAND Flash)长期以来呈现强周期性波动特征,平均周期为3-5年。这一周期性源于:
| 周期特征 | 传统模式 | AI时代新变化 |
|---|---|---|
需求驱动 |
PC、智能手机换机周期 | AI训练/推理算力需求 |
周期长度 |
4-5年 | 结构性缩短至2-3年 |
价格弹性 |
跟随供需波动 | HBM溢价显著(30-50%) |
龙头企业 |
三星、SK海力士、美光 | 三足鼎立,HBM竞争加剧 |
根据美光科技2025财年(截至2025年8月)10-K文件显示[0],公司DRAM收入从2023年的109.78亿美元增长至2025年的285.78亿美元,
2022-2023年存储芯片行业经历了严重的库存调整期:
- 2022年:全球存储芯片价格下跌超过50%
- 2023年:行业整体亏损,美光科技2023财年净亏损58.33亿美元[0]
- 2024年起:AI需求爆发开启新一轮上行周期
大模型参数规模增长 → 算力需求指数级提升 → AI服务器采购激增 → 存储需求结构性变化
根据行业数据,AI服务器的存储需求与传统服务器存在显著差异:
| 存储类型 | 传统服务器 | AI服务器 | 增幅 |
|---|---|---|---|
HBM容量 |
- | 80-640GB | 新增量 |
HBM带宽 |
- | 3-4TB/s | 新增量 |
DRAM容量 |
32-64GB | 256-512GB | 4-8倍 |
NAND容量 |
1-2TB | 4-8TB | 4倍 |
高带宽内存(HBM)已成为AI服务器的"标配"配置。以NVIDIA H100 GPU为例,单颗芯片需要配备80-120GB HBM3/HBM3e。传导路径如下:
GPU需求爆发(H100/H200/B200) → HBM订单激增 → 存储厂商产能重新分配
↓ ↓
传统服务器DRAM供给收紧 ← HBM产能优先级提升
- SK海力士:全球HBM市场份额约52-55%,技术领先(率先量产HBM3e)
- 三星电子:市场份额约30-33%,加速追赶
- 美光科技:市场份额约15%,专注HBM4研发
存储芯片厂商对AI需求的响应体现在产能结构重新配置:
1. 资本支出扩张
- 美光科技2025年资本支出:158.57亿美元(同比增长89%)[0]
- 主要投向:HBM产线、先进DRAM制程(1γ/1β节点)
2. 产能优先级调整
- HBM产能:2024年产能扩张50%+,仍供不应求
- 传统DRAM:产能利用率维持高位,供给紧张
- NAND Flash:部分产能转向CMOS图像传感器
3. 良率挑战
- HBM良率仅为40-50%(传统DRAM约80%)
- 进一步限制有效供给,推高价格
| 产品类别 | 价格变化(2024-2025) | 传导原因 |
|---|---|---|
HBM |
上涨80-100% | 产能紧缺,订单排期6-12个月 |
DDR5 |
上涨50-70% | AI服务器渗透,替代DDR4 |
DDR4 |
上涨30-50% | 供给收缩,补涨效应 |
NAND Flash |
上涨40-60% | 企业级SSD需求增加 |
- 毛利率:从2023年的-9.1%恢复至2025年的39.8%
- 净利润:从2023年亏损58.33亿美元转为2025年盈利85.39亿美元
- 营业利润率:从2023年的-37.0%改善至2025年的26.1%
| 时期 | 周期特征 | 长度 |
|---|---|---|
| 2016-2018年 | 数据中心驱动 | 3-4年 |
| 2020-2021年 | 疫情居家办公 | 2-3年 |
| 2022-2023年 | 库存调整 | 1-2年 |
| 2024-2026年 | AI驱动 | 2-3年(结构性) |
| 指标 | HBM/AI DRAM | 传统DRAM | NAND Flash |
|---|---|---|---|
需求增长 |
200-300% | 10-15% | 15-25% |
价格涨幅 |
80-100% | 30-50% | 40-60% |
毛利率 |
50%+ | 30-40% | 25-35% |
产能扩张 |
优先保障 | 维持或收缩 | 温和扩张 |
AI服务器对存储芯片的需求具有更高的价格弹性:
- 传统服务器:需求增长稳定,对价格敏感度低
- AI服务器:初期部署阶段,需求刚性,价格敏感度低
- 边际变化:AI增量需求vs传统需求萎缩,形成"剪刀差"

美光科技股价从2024年初的约90美元上涨至2025年底的285美元,
| 产品线 | 2023年 | 2024年 | 2025年 | 两年增幅 |
|---|---|---|---|---|
DRAM |
$109.78亿 | $176.03亿 | $285.78亿 | +160% |
NAND |
$42.06亿 | $72.27亿 | $85.03亿 | +102% |
合计 |
$155.40亿 | $251.11亿 | $373.78亿 | +140% |
根据最新数据[0],美光科技:
- 共识评级:买入(80.9%分析师给予买入评级)
- 目标价范围:190-480美元
- 当前估值:P/E 39.19倍,P/B 7.94倍
- AI需求→HBM需求:约1-2个季度
- HBM→传统DRAM:约2-3个季度
- DRAM→NAND:约3-4个季度
- HBM > AI服务器DDR5 > 传统DDR4 > NAND Flash
- HBM:供不应求,价格仍有上行空间
- DDR5:景气上行中段
- DDR4/NAND:景气回升初期
| 投资主题 | 标的 | 逻辑 |
|---|---|---|
HBM龙头 |
SK海力士、三星 | 技术领先,产能紧缺 |
AI存储弹性 |
美光科技 | 收入增速最高,估值修复空间大 |
设备与材料 |
半导体设备厂商 | 资本支出扩张受益 |
| 风险类型 | 具体内容 | 影响程度 |
|---|---|---|
需求风险 |
AI资本支出放缓 | 中高 |
产能风险 |
HBM良率提升超预期 | 中 |
价格风险 |
产能扩张过快导致价格回调 | 中高 |
技术风险 |
新一代HBM4竞争加剧 | 中 |
宏观风险 |
全球经济衰退 | 低(AI需求相对刚性) |
AI服务器需求爆发对存储芯片价格周期的传导机制可概括为:
AI大模型训练需求 ↑↑
↓
GPU/HBM需求激增(3-5倍于传统服务器)
↓
存储厂商产能重新配置(HBM优先)
↓
传统DRAM/NAND供给收紧
↓
全品类存储芯片价格进入上行周期
↓
存储厂商盈利能力显著改善
- 周期属性改变:从传统3-5年周期转向结构性2-3年周期
- 结构性分化:HBM与传统存储的价格和盈利分化加剧
- 龙头优势扩大:具备HBM技术优势的厂商(SK海力士、三星)持续受益
- 传导效率提升:AI需求传导至存储芯片价格的时间窗口缩短
当前存储芯片行业正处于
[0] 美光科技(MU) SEC 10-K Filing (2025年10月3日), https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/723125/000072312525000028/mu-20250828.htm
[1] 金灵API市场数据 - 美光科技、三星电子公司概况及财务数据
数据基于历史,不代表未来趋势;仅供投资者参考,不构成投资建议
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