长鑫科技科创板IPO分析:3000亿估值与DRAM技术竞争力评估

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2026年1月14日

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长鑫科技科创板IPO分析:3000亿估值与DRAM技术竞争力评估

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基于收集到的最新信息,我将为您提供长鑫科技科创板IPO及其DRAM技术竞争力的全面分析报告。


一、长鑫科技科创板IPO概况
1.1 上市进程与估值

长鑫科技于2025年12月30日正式申报科创板IPO,成为科创板第一家采用

IPO预先审阅机制
申报上市的公司[1][2]。这一制度创新由证监会于2025年6月推出,旨在减少上市"曝光"时间,降低敏感信息暴露带来的竞争风险。

估值演变轨迹:

  • 2025年6月
    :完成上市前最后一轮融资,阿里云豪掷61亿元认购3.85%新增注册资本,将Pre-IPO估值推升至
    1584亿元
    [1]
  • IPO拟募资
    295亿元
    (扣除发行费用后),创科创板历史新高[2]
  • 拟发行估值
    :按新发行股份不低于发行后总股本10%倒推,预期拟发行估值约
    2950亿元
    ,较半年估值实现翻倍[2]
估值方法 计算依据 估值结果
发行价倒推 募资295亿÷10% ≈2950亿元
市销率法(PS) 2025年营收478亿×15.32倍PS
7325亿元
美光对标 550亿营收×13倍PS
7150亿元
美光对标 20-35亿净利润×423倍PE
8400亿元+
1.2 募集资金用途

根据招股说明书,长鑫科技此次IPO募资将主要用于[2]:

  • 75亿元
    :晶圆产线改造升级
  • 130亿元
    :DRAM技术升级
  • 90亿元
    :前瞻技术研发

二、DRAM技术竞争力深度分析
2.1 技术发展历程与现状

长鑫科技成立于2016年,经过近十年的技术积累,已实现重大突破:

阶段 里程碑 技术水平
2019年 推出8Gb DDR4产品 实现中国DRAM"从0到1"突破[1]
2020年 19nm制程量产 进入先进1Xnm阶段[3]
2024年 17nm DDR4产品 良率达80%,成本低于韩厂15-20%[4]
2025年 LPDDR5系列量产 12GB LPDDR5芯片完成品牌验证[4]

技术路线规划:

  • 已跳过18nm工艺,直接研发17nm制程[3]
  • 产品覆盖DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5系列
  • 采用主流
    堆电容DRAM技术
    (与三星等大厂一致),利于未来技术升级[3]
2.2 全球竞争格局

根据Omdia数据,2024年全球DRAM市场份额呈现高度垄断格局[1]:

排名 公司 市场份额 备注
1 三星电子 40.35% 全球龙头
2 SK海力士 33.19% 第二大厂商
3 美光科技 20.73% 第三大厂商
4
长鑫科技
3.97%
全球第四、中国第一
[1]

关键洞察:

  • 三巨头牢牢占据**约95%**市场份额[1]
  • 长鑫科技是唯一进入全球前四的中国企业
  • 2025年产能有望增长至与美光科技相近水平[4]
2.3 技术差距与追赶态势
指标 长鑫科技 三星/SK海力士/美光 差距分析
最先进制程 17nm 10nm级(预计2025年进入1c nm) 约2-3代差距
全球份额 3.97% 前三合计95% 追赶空间巨大
技术节点 1Xnm 1Y/1Z/1α nm 需持续突破
工艺稳定性 80%良率 90%+良率 仍有提升空间

相对优势:

  • 成本优势
    :17nm DDR4产品单位晶圆成本较韩国厂商低
    15%-20%
    [4]
  • 本土市场
    :国内市场需求占全球存储需求超过
    30%
    [4]
  • 增速领先
    :2024年营收增速166%,远超SK海力士81%、美光64%[1]

三、财务表现与盈利能力
3.1 营收与利润预测
财务指标 2022-2024年 2025年(E) 备注
营收 持续增长
550-580亿元
2025年1-9月同比+97.79%[1]
净利润 累计亏损375亿元
20-35亿元
2025年有望扭亏为盈[1]
毛利率 处于爬坡期
35%
DRAM涨价潮推动
扣非净利润 亏损
28-30亿元
主业盈利改善
3.2 盈利能力分析

扭亏为盈驱动因素:

  1. 行业周期反转
    :2025年下半年DRAM经历"狂欢式涨价潮"[1]
  2. 产能利用率提升
    :产能爬坡摊薄固定成本
  3. 规模效应显现
    :营收规模扩大降低单位成本
  4. 良率改善
    :17nm产品良率达80%[4]

风险提示:

  • DRAM具有
    大宗商品属性
    ,强周期特征明显
  • 巨额折旧影响:2024年、2025年上半年折旧分别为149亿元、113亿元,占营收比例超过50%[2]
  • 技术迭代、需求变化、贸易政策均可能影响业绩

四、估值合理性分析
4.1 估值对标
公司 市销率(PS) 市盈率(PE) 备注
美光科技 13倍 423倍 国际DRAM龙头[1]
三星电子 - - 受集团估值影响
中芯国际 15倍 200倍 科创板半导体龙头[1]
长鑫科技(拟)
15.32倍
待定 市场法估值[2]
4.2 估值争议与支撑

支撑因素:

  • 稀缺性
    :A股"存储芯片第一股",国产替代核心标的
  • 成长性
    :营收增速远超行业巨头
  • 政策支持
    :半导体国产化战略核心标的
  • 行业地位
    :全球第四、中国第一的DRAM厂商

风险因素:

  • 尚未实现稳定盈利(2025年刚扭亏)
  • 技术与海外巨头仍有2-3代差距
  • DRAM行业周期波动大
  • 国际贸易政策不确定性

五、投资价值与风险评估
5.1 核心竞争优势
  1. 国产替代先驱
    :打破美韩DRAM垄断,实现"从0到1"突破
  2. 成本竞争力
    :单位晶圆成本较韩国厂商低15-20%
  3. 本土市场优势
    :背靠全球最大消费电子市场
  4. 产业协同
    :兆易创新、阿里云、小米等产业链股东支持
  5. 资本支持
    :大基金二期、国资、产业资本多重背书
5.2 主要风险
风险类型 具体内容 影响程度
技术风险 与巨头存在2-3代制程差距
周期风险 DRAM价格波动影响盈利能力
政策风险 国际贸易限制、出口管制 中高
竞争风险 三巨头通过规模效应挤压生存空间
财务风险 巨额折旧持续影响利润

六、结论与展望
6.1 估值判断

长鑫科技IPO估值近3000亿元具有

一定的合理性基础

  • 稀缺性溢价:A股存储芯片第一股
  • 成长性溢价:营收增速远超行业
  • 国产替代溢价:政策支持下的战略价值

但需注意:

  • 若按7000亿元以上市销率估值,则需持续高速增长支撑
  • 短期估值偏高可能面临市场消化压力
  • DRAM周期属性可能导致业绩波动
6.2 技术竞争力评价

优势:

  • ✅ 实现中国DRAM从无到有的突破
  • ✅ 17nm制程良率达80%,成本优势明显
  • ✅ 全球份额快速提升至3.97%
  • ✅ 产品线覆盖主流DRAM规格

不足:

  • ❌ 与三星/SK海力士仍有2-3代技术差距
  • ❌ 全球份额仍较低,规模效应待释放
  • ❌ 高端制程研发能力需持续验证

展望:

长鑫科技作为中国存储芯片的标杆企业,其技术竞争力正处于快速提升期。随着科创板上市融资支持,有望加速技术迭代、扩大产能规模,逐步缩小与国际巨头的差距。但投资者需关注DRAM行业周期波动、技术突破进展以及国际贸易政策变化等因素带来的风险。


参考文献

[1] 证券时报 - "存储芯片第一股"史诗级IPO!3000亿长鑫科技来了 (https://www.stcn.com/article/detail/3571683.html)

[2] 新浪财经 - 长鑫科技IPO:计划募资金额为科创板历史第一 (https://finance.sina.com.cn/stock/observe/2026-01-08/doc-inhfqtyr6649876.shtml)

[3] 民生证券 - 长鑫引领大陆DRAM自制浪潮产业链有望充分受益 (http://pdf.dfcfw.com/pdf/H3_AP202002251375443056_1.pdf)

[4] 中国电子报 - 长鑫科技启动上市辅导1400亿估值冲击"存储芯片第一股" (http://dianzibao.cb.com.cn/images/2025-07/14/23/2611C03B.pdf)

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